Sitemap

Semicorex anuncia oblea epitaxial SiC de 8 pulgadas | Comienza la producción de oblea 3C-SiC | ¿Qué son las paletas voladizas? | ¿Qué son los susceptores de grafito recubiertos de SiC? | ¿Qué es el compuesto C/C? | Lanzamiento de productos epitaxiales GaN HEMT de alta potencia de 850 V | ¿Qué es el grafito isostático? | Grafito poroso para el crecimiento de cristales de SiC de alta calidad mediante el método PVT | Presentamos la tecnología central del barco de grafito. | ¿Qué es grafitizar? | Introducción de óxido de galio (Ga2O3) | Aplicaciones de la oblea de óxido de galio | Ventajas y desventajas de las aplicaciones de nitruro de galio (GaN) | ¿Qué es el carburo de silicio (SiC)? | ¿Cuáles son los desafíos de la producción de sustratos de carburo de silicio? | ¿Qué es el susceptor de grafito recubierto de SiC? | Material de aislamiento de campo térmico. | La primera empresa de industrialización de sustrato de óxido de galio de 6 pulgadas | La importancia de los materiales porosos de grafito para el crecimiento de cristales de SiC. | Capas y sustratos epitaxiales de silicio en la fabricación de semiconductores | Procesos de plasma en operaciones CVD | Grafito poroso para el crecimiento de cristales de SiC | ¿Qué es un barco de SiC y cuáles son sus distintos procesos de fabricación? | Desafíos de aplicación y desarrollo de componentes de grafito recubiertos de TaC | Horno de crecimiento de cristales de carburo de silicio (SiC) | Una breve historia del carburo de silicio y aplicaciones de los recubrimientos de carburo de silicio | Ventajas de la cerámica de carburo de silicio en la industria de la fibra óptica | Material central para el crecimiento de SiC: revestimiento de carburo de tantalio | ¿Cuáles son las ventajas y desventajas del grabado en seco y en húmedo? | ¿Cuál es la diferencia entre obleas epitaxiales y difusas? | Obleas epitaxiales de nitruro de galio: una introducción al proceso de fabricación | Barcos de SiC frente a barcos de cuarzo: uso actual y tendencias futuras en la fabricación de semiconductores | Comprensión de la deposición química de vapor (CVD): una descripción general completa | SiC grueso CVD de alta pureza: conocimientos sobre procesos para el crecimiento de materiales | Desmitificando la tecnología de mandril electrostático (ESC) en el manejo de obleas | Cerámicas de carburo de silicio y sus diversos procesos de fabricación | Cuarzo de alta pureza: un material indispensable para la industria de semiconductores | Una revisión de nueve técnicas de sinterización para cerámicas de carburo de silicio | Técnicas de preparación especializadas para cerámicas de carburo de silicio | ¿Por qué elegir la sinterización sin presión para la preparación de cerámica de SiC? | Análisis de las aplicaciones y perspectivas de desarrollo de la cerámica de SiC en los sectores de semiconductores y fotovoltaico | ¿Cómo se aplica la cerámica de carburo de silicio y cuál es su futuro en cuanto a resistencia al desgaste y a las altas temperaturas? | El estudio sobre cerámicas de SiC sinterizadas por reacción y sus propiedades | Susceptores recubiertos de SiC en procesos MOCVD | Tecnología Semicorex para grafito especial | ¿Cuáles son las aplicaciones de los recubrimientos de SiC y TaC en el campo de los semiconductores? | Proceso PECVD | Sintetización de polvo de carburo de silicio de alta pureza | Materiales de carbono porosos jerárquicos: síntesis e introducción | ¿Qué es una oblea ficticia? | ¿Qué es el recubrimiento de carbono en forma de vidrio?

¿Qué es la epitaxia de SiC? | ¿Qué es el proceso de oblea epitaxial? | ¿Para qué se utilizan las obleas epitaxiales? | ¿Qué es un sistema MOCVD? | ¿Cuál es la ventaja del carburo de silicio? | ¿Qué es un semiconductor? | Cómo clasificar los semiconductores | La escasez de chips sigue siendo un problema | Japón restringió recientemente las exportaciones de 23 tipos de equipos de fabricación de semiconductores | Proceso CVD para epitaxia de obleas de SiC | China sigue siendo el mayor mercado de equipos de semiconductores | Discutiendo el horno CVD | Escenarios de aplicación para capas epitaxiales | TSMC: Producción de prueba de riesgo de proceso de 2nm el próximo año | Fondos en proyectos de semiconductores | MOCVD es el equipo clave | Crecimiento sustancial del mercado de susceptores de grafito recubiertos de SiC | ¿Cuál es el proceso de SiC epitaxial? | ¿Por qué elegir susceptores de grafito recubiertos de SiC? | ¿Qué es una oblea de SiC tipo P? | Diferentes tipos de cerámica SiC | Los chips de memoria coreanos se desplomaron | ¿Qué es SOI? | Conociendo el Cantilever Paddle | ¿Qué es CVD para SiC? | PSMC de Taiwán construirá una fábrica de obleas de 300 mm en Japón | Acerca de los elementos calefactores de semiconductores | Aplicaciones industriales de GaN | Descripción general del desarrollo de la industria fotovoltaica | ¿Qué es el proceso CVD en semiconductores? | Recubrimiento TaC | ¿Qué es la epitaxia en fase líquida? | ¿Por qué elegir el método de epitaxia en fase líquida? | Sobre defectos en cristales de SiC - Micropipe | Dislocación en cristales de SiC. | Grabado en seco versus grabado en húmedo | Epitaxia de SiC | ¿Qué es el grafito isostático? | ¿Cuál es el proceso de fabricación de grafito isostático? | ¿Qué es el horno de difusión? | ¿Cómo fabricar varillas de grafito? | ¿Qué es el grafito poroso? | Recubrimientos de carburo de tantalio en la industria de semiconductores. | Equipo LPE | Crisol con revestimiento de TaC para el crecimiento de cristales de AlN | Métodos de crecimiento de cristales de AlN | Recubrimiento TaC con método CVD | El impacto de la temperatura en los recubrimientos CVD-SiC | Elementos calefactores de carburo de silicio | ¿Qué es el cuarzo? | Productos de cuarzo en aplicaciones de semiconductores. | Introducción al transporte físico de vapor (PVT) | 3 métodos de moldeado de grafito | Recubrimiento en el campo térmico de monocristales semiconductores de silicio. | GaN frente a SiC | ¿Puedes moler carburo de silicio? | Industria del carburo de silicio | ¿Qué es un recubrimiento de TaC sobre grafito? | Diferencias entre cristales de SiC con diferentes estructuras. | Proceso de corte y molienda de sustrato | Aplicaciones de componentes de grafito recubiertos de TaC | Conociendo el MOCVD | Control de dopaje en el crecimiento de SiC por sublimación | Ventajas del SiC en la industria de los vehículos eléctricos | El auge y las perspectivas del mercado de dispositivos de energía de carburo de silicio (SiC) | Conociendo GaN | El papel crucial de las capas epitaxiales en los dispositivos semiconductores | Capas epitaxiales: la base de los dispositivos semiconductores avanzados | Método para preparar polvo de SiC. | Introducción al proceso de implantación y recocido de iones de carburo de silicio | Aplicaciones de carburo de silicio | Parámetros clave de los sustratos de carburo de silicio (SiC) | Pasos principales en el procesamiento de sustratos de SiC | Sustrato versus epitaxia: funciones clave en la fabricación de semiconductores | Introducción a los semiconductores de tercera generación: GaN y tecnologías epitaxiales relacionadas | Dificultades en la preparación de GaN. | Tecnología de epitaxia de oblea de carburo de silicio | Introducción a los dispositivos de potencia de carburo de silicio | Comprensión de la tecnología de grabado en seco en la industria de semiconductores | Sustrato de carburo de silicio | Dificultad para preparar sustratos de SiC. | Comprensión del proceso completo de fabricación de dispositivos semiconductores | Diversas aplicaciones del cuarzo en la fabricación de semiconductores. | Desafíos de la tecnología de implantación de iones en dispositivos de energía de SiC y GaN | Proceso de difusión e implante de iones | ¿Qué es el proceso CMP? | Cómo hacer el proceso CMP | ¿Por qué no crece la epitaxia de nitruro de glio (GaN) en un sustrato de GaN? | Proceso de oxidación | Crecimiento epitaxial sin defectos y dislocaciones inadaptadas | Semiconductores de cuarta generación Óxido de galio/β-Ga2O3 | Aplicación de SiC y GaN en vehículos eléctricos. | El papel fundamental de los sustratos de SiC y el crecimiento de los cristales en la industria de los semiconductores | Flujo del proceso central de sustrato de carburo de silicio | Corte de SiC | Oblea de silicio | Sustrato y Epitaxia | Silicio monocristalino versus silicio policristalino | Heteroepitaxia de 3C-SiC: descripción general | Proceso de crecimiento de película delgada. | ¿Qué es el grado de grafitización? | Cerámica SiC: el material indispensable para componentes de alta precisión en la fabricación de semiconductores | Cristal único de GaN | Método de crecimiento de cristales de GaN | Tecnología de purificación de grafito en semiconductores de SiC. | Desafíos técnicos en los hornos de crecimiento de cristales de carburo de silicio | ¿Qué aplicaciones tiene el sustrato de nitruro de galio (GaN)? | Progreso de la investigación de recubrimientos TaC en superficies de materiales a base de carbono | Tecnología de producción de grafito isostático | ¿Qué es el campo térmico? | GaN y SiC: ¿coexistencia o sustitución? | ¿Qué es el mandril electrostático (ESC)? | Comprender las diferencias de grabado entre obleas de silicio y carburo de silicio | ¿Qué es el nitruro de silicio? | Oxidación en el procesamiento de semiconductores | Fabricación de silicio monocristalino | Infineon presenta la primera oblea Power GaN de 300 mm del mundo | ¿Qué es el sistema de horno de crecimiento cristalino? | El estudio sobre la distribución de la resistividad eléctrica en cristales de 4H-SiC tipo n | Por qué utilizar la limpieza ultrasónica en la fabricación de semiconductores | ¿Qué es el recocido térmico? | Lograr un crecimiento de cristales de SiC de alta calidad mediante el control del gradiente de temperatura en la fase de crecimiento inicial | Fabricación de chips: procesos de película delgada | ¿Cómo se producen realmente los mandriles electrostáticos de cerámica? | Procesos de recocido en la fabricación moderna de semiconductores | ¿Por qué existe una creciente demanda de cerámicas de SiC de alta conductividad térmica en la industria de semiconductores? | Introducción del material de silicona | Procesamiento de sustrato monocristalino de SiC | Orientación de los cristales y defectos en las obleas de silicio | Pulido de superficies de obleas de silicio | El defecto fatal del GaN | Pulido final de la superficie de la oblea de silicio. | ¿Cómo se fabrica el carburo de silicio? | Wolfspeed detiene los planes de construcción de una planta alemana de semiconductores | La estructura del mandril electrostático (ESC) | ¿Qué es el grabado con plasma a baja temperatura? | Homoepitaxia y heteroepitaxia explicadas de forma sencilla | Aplicación de compuesto de fibra de carbono. | Explorando las perspectivas futuras de los chips semiconductores de silicio | SK Siltron amplía su producción de obleas de SiC con un préstamo de 544 millones de dólares del Departamento de Energía de EE. UU. | Aplicación de GaN | ¿Qué es la oblea ficticia? | Detección de defectos en el procesamiento de obleas de carburo de silicio | Proceso de dopaje de semiconductores | La fusión de la IA y la física: innovación tecnológica CVD detrás del Premio Nobel | Parámetros del proceso de grabado | ¿Cuál es la diferencia entre grafitización y carbonización? | Casi 840 millones de dólares: Onsemi adquiere una empresa de SiC | La unidad en semiconductores: Angstrom | SiGe en la fabricación de chips: un informe de noticias profesional | Tecnología de grabado selectivo SiGe y Si | Crecimiento de cristales de AlN por método PVT. | Recocido | ¿Qué es la tecnología de implantación de iones semiconductores? | ¿Qué desafíos implica la fabricación de SiC? | Fabricación de obleas | método czochralski | Las perspectivas de aplicación de los sustratos de carburo de silicio de 12 pulgadas | Aplicaciones del carburo de silicio | Ventajas del recubrimiento de TAC en el crecimiento de un solo cristal de SIC | Cómo los materiales avanzados resuelven 3 desafíos críticos en el diseño del horno de semiconductores | ¿Cuáles son las aplicaciones de las membranas cerámicas de carburo de silicio? | Silicio intrínseco | Membrana cerámica de carburo de silicio: una nueva membrana de separación que se espera que reemplace varias membranas inorgánicas | Crisol recubierto de TAC en el crecimiento del cristal de SiC | Polvo de carburo de silicio de grado electrónico | ¿Qué es el calentador Aln? | Partes cerámicas semiconductores | LPE es el método importante para preparar el cristal único de tipo P-Sic y el cristal único 3C-SiC | Calentadores de cerámica