Placa portadora de grafito RTP

La placa portadora de grafito RTP de Semicorex es la solución perfecta para aplicaciones de procesamiento de obleas semiconductoras, incluido el crecimiento epitaxial y el procesamiento de manipulación de obleas. Nuestro producto está diseñado para ofrecer resistencia al calor y uniformidad térmica superiores, asegurando que los susceptores de epitaxia estén sujetos al ambiente de deposición, con alta resistencia al calor y a la corrosión.

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Descripción del Producto

Nuestro producto presenta grafito recubierto de SiC de alta pureza, que ofrece excelentes propiedades de distribución del calor, lo que garantiza que el soporte recubierto de SiC tenga una superficie lisa, libre de grietas y delaminación. Nuestra placa portadora de grafito RTP está finamente recubierta de carburo de silicio, lo que garantiza que la superficie sea lisa y libre de defectos. Este producto es muy duradero frente a la limpieza química agresiva y está diseñado para garantizar que no se produzcan grietas ni delaminación.
Ofrecemos una ventaja de precio que nuestros competidores no pueden igualar y estamos comprometidos a convertirnos en su socio a largo plazo en China.
Con nuestra placa portadora de grafito RTP, puede estar seguro de un rendimiento excelente, una resistencia al calor superior y una uniformidad térmica. El soporte recubierto de SiC está diseñado para soportar altas temperaturas y es altamente resistente a la limpieza química, lo que garantiza que dure muchos años. Nuestro producto también está diseñado para ser fácil de usar, lo que lo hace ideal tanto para usuarios nuevos como experimentados.
En Semicorex, estamos comprometidos a brindar productos y servicios de alta calidad a nuestros clientes. Utilizamos sólo los mejores materiales y nuestros productos están diseñados para cumplir con los más altos estándares de calidad y rendimiento. Nuestra placa portadora de grafito RTP no es una excepción. Contáctenos hoy para obtener más información sobre cómo podemos ayudarlo con sus necesidades de procesamiento de obleas semiconductoras.

Parámetros de la placa portadora de grafito RTP

Especificaciones principales del recubrimiento CVD-SIC
Propiedades de SiC-CVD
Estructura cristalina	Fase β de la FCC
Densidad	gramos/cm³	3.21
Dureza	Dureza Vickers	2500
Tamaño de grano	µm	2~10
Pureza química	%	99.99995
Capacidad calorífica	J kg-1 K-1	640
Temperatura de sublimación	℃	2700
Fuerza flexural	MPa (RT 4 puntos)	415
Módulo de Young	Gpa (curvatura de 4 puntos, 1300 ℃)	430
Expansión Térmica (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conductividad térmica	(W/mK)	300

Características de la placa portadora de grafito RTP

Grafito recubierto de SiC de alta pureza
Resistencia al calor superior y uniformidad térmica
Fino revestimiento de cristal de SiC para una superficie lisa
Alta durabilidad frente a limpieza química
El material está diseñado para que no se produzcan grietas ni delaminación.