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¿Qué es el proceso de difusión?

El dopaje implica la introducción de una dosis de impurezas en materiales semiconductores para alterar sus propiedades eléctricas. La difusión y la implantación de iones son dos métodos de dopaje. El dopaje de impureza temprana se realizó principalmente a través de la difusión de alta temperatura.

¿Cuáles son las dificultades técnicas del horno de crecimiento de cristal sic?

El horno de crecimiento cristalino es el equipo central para el crecimiento de cristales de carburo de silicio. Es similar al horno tradicional de crecimiento cristalino cristalino de grado de silicio. La estructura del horno no es muy complicada. Se compone principalmente del cuerpo del horno, el s......

Bote de obleas de carburo de silicio

Detrás de cada proceso de alta temperatura en la fabricación de obleas se encuentra un jugador silencioso pero crucial: el barco de obleas. Como el portador central que contacta directamente con la oblea de silicio durante el procesamiento de la oblea, su material, estabilidad y limpieza están direc......

Sustrato de cerámica de nitruro de silicio

El sustrato cerámico de nitruro de silicio es un sustrato cerámico de alto rendimiento hecho de nitruro de silicio (Si₃n₄) como material central. Sus componentes principales son los elementos de silicio (Si) y nitrógeno (N), que están unidos químicamente para formar Si₃n₄.

¿Cuál es la diferencia entre el dopaje arsénico y el dopaje de fósforo en silicio de cristal único?

Ambos son semiconductores de tipo N, pero ¿cuál es la diferencia entre el dopaje de arsénico y fósforo en silicio de cristal único? En el silicio de cristal único, el arsénico (AS) y el fósforo (P) son dopantes de tipo N de uso común (elementos pentavalentes que proporcionan electrones libres). Sin ......

Componentes cerámicos principales en la fabricación de semiconductores

El equipo de semiconductores consiste en cámaras y cámaras, y la mayoría de las cerámicas se usan en cámaras más cercanas a las obleas. Las piezas de cerámica, componentes importantes ampliamente utilizados en las cavidades de equipos de núcleo, son componentes de equipos de semiconductores fabricad......

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