El dopaje implica la introducción de una dosis de impurezas en materiales semiconductores para alterar sus propiedades eléctricas. La difusión y la implantación de iones son dos métodos de dopaje. El dopaje de impureza temprana se realizó principalmente a través de la difusión de alta temperatura.
Leer másDetrás de cada proceso de alta temperatura en la fabricación de obleas se encuentra un jugador silencioso pero crucial: el barco de obleas. Como el portador central que contacta directamente con la oblea de silicio durante el procesamiento de la oblea, su material, estabilidad y limpieza están direc......
Leer másEl sustrato cerámico de nitruro de silicio es un sustrato cerámico de alto rendimiento hecho de nitruro de silicio (Si₃n₄) como material central. Sus componentes principales son los elementos de silicio (Si) y nitrógeno (N), que están unidos químicamente para formar Si₃n₄.
Leer másAmbos son semiconductores de tipo N, pero ¿cuál es la diferencia entre el dopaje de arsénico y fósforo en silicio de cristal único? En el silicio de cristal único, el arsénico (AS) y el fósforo (P) son dopantes de tipo N de uso común (elementos pentavalentes que proporcionan electrones libres). Sin ......
Leer másEl equipo de semiconductores consiste en cámaras y cámaras, y la mayoría de las cerámicas se usan en cámaras más cercanas a las obleas. Las piezas de cerámica, componentes importantes ampliamente utilizados en las cavidades de equipos de núcleo, son componentes de equipos de semiconductores fabricad......
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