El carburo de silicio (SiC) desempeña un papel importante en la fabricación de electrónica de potencia y dispositivos de alta frecuencia debido a sus excelentes propiedades eléctricas y térmicas. La calidad y el nivel de dopaje de los cristales de SiC afectan directamente el rendimiento del disposit......
Leer másEn el proceso de crecimiento de monocristales de SiC y AlN mediante el método de transporte físico de vapor (PVT), componentes como el crisol, el soporte del cristal semilla y el anillo guía desempeñan un papel vital. Durante el proceso de preparación de SiC, el cristal semilla se ubica en una regió......
Leer másEl material de sustrato de SiC es el núcleo del chip de SiC. El proceso de producción del sustrato es: después de obtener el lingote de cristal de SiC mediante crecimiento de monocristal; luego, preparar el sustrato de SiC requiere alisar, redondear, cortar, esmerilar (adelgazar); pulido mecánico, p......
Leer másEl carburo de silicio (SiC) es un material que posee una estabilidad térmica, física y química excepcional, exhibiendo propiedades que van más allá de las de los materiales convencionales. Su conductividad térmica es de unos sorprendentes 84 W/(m·K), que no sólo es superior a la del cobre sino tambi......
Leer másEn el campo de la fabricación de semiconductores en rápida evolución, incluso las mejoras más pequeñas pueden marcar una gran diferencia cuando se trata de lograr un rendimiento, durabilidad y eficiencia óptimos. Un avance que está generando mucho revuelo en la industria es el uso de recubrimiento d......
Leer más