Para lograr los requisitos de alta calidad de los procesos de circuitos de chips IC con anchos de línea menores de 0,13 μm a 28 nm para obleas de pulido de silicio de 300 mm de diámetro, es esencial minimizar la contaminación por impurezas, como iones metálicos, en la superficie de la oblea.
Leer másMientras el mundo busca nuevas oportunidades en el campo de los semiconductores, el nitruro de galio (GaN) continúa destacándose como un candidato potencial para futuras aplicaciones de energía y RF. Sin embargo, a pesar de sus numerosos beneficios, el GaN se enfrenta a un desafío importante: la au......
Leer másEl pulido de la superficie de las obleas de silicio es un proceso crucial en la fabricación de semiconductores. Su objetivo principal es lograr estándares extremadamente altos de planitud y rugosidad de la superficie mediante la eliminación de microdefectos, capas de daños por tensión y contaminació......
Leer másLa celda unitaria cristalina básica del silicio monocristalino es la estructura blenda de zinc, en la que cada átomo de silicio se une químicamente con cuatro átomos de silicio vecinos. Esta estructura también se encuentra en los diamantes de carbono monocristalinos.
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