Puede estar seguro de comprar ICP Etching Carrier en nuestra fábrica y le ofreceremos el mejor servicio posventa y entrega oportuna. El susceptor de oblea Semicorex está hecho de grafito recubierto de carburo de silicio mediante el proceso de deposición química de vapor (CVD). Este material posee propiedades únicas, que incluyen resistencia química y a altas temperaturas, excelente resistencia al desgaste, alta conductividad térmica y alta resistencia y rigidez. Estas propiedades lo convierten en un material atractivo para diversas aplicaciones de alta temperatura, incluidos los sistemas de grabado de plasma acoplado inductivamente (ICP).
Brindamos un servicio personalizado, lo ayudamos a innovar con componentes que duran más, reducen los tiempos de ciclo y mejoran los rendimientos.
El componente ICP con revestimiento de SiC de Semicorex está diseñado específicamente para procesos de manipulación de obleas a alta temperatura, como epitaxia y MOCVD. Con un fino recubrimiento de cristal de SiC, nuestros portadores brindan una resistencia al calor superior, incluso uniformidad térmica y resistencia química duradera.
Leer másEnviar ConsultaCuando se trata de procesos de manejo de obleas como epitaxia y MOCVD, el revestimiento de SiC de alta temperatura de Semicorex para cámaras de grabado con plasma es la mejor opción. Nuestros portadores brindan una resistencia al calor superior, incluso uniformidad térmica y resistencia química duradera gracias a nuestro fino revestimiento de cristal de SiC.
Leer másEnviar ConsultaLa bandeja de grabado de plasma ICP de Semicorex está diseñada específicamente para procesos de manipulación de obleas a alta temperatura, como epitaxia y MOCVD. Con una resistencia estable a la oxidación a alta temperatura de hasta 1600 °C, nuestros portadores proporcionan perfiles térmicos uniformes, patrones de flujo de gas laminar y evitan la contaminación o la difusión de impurezas.
Leer másEnviar ConsultaEl portador recubierto de SiC de Semicorex para el sistema de grabado por plasma ICP es una solución confiable y rentable para los procesos de manipulación de obleas a alta temperatura, como la epitaxia y MOCVD. Nuestros soportes cuentan con un fino revestimiento de cristal de SiC que proporciona una resistencia al calor superior, incluso uniformidad térmica y resistencia química duradera.
Leer másEnviar ConsultaEl susceptor recubierto de carburo de silicio de Semicorex para plasma acoplado inductivamente (ICP) está diseñado específicamente para procesos de manipulación de obleas a alta temperatura, como epitaxia y MOCVD. Con una resistencia estable a la oxidación a alta temperatura de hasta 1600 °C, nuestros portadores garantizan perfiles térmicos uniformes, patrones de flujo de gas laminar y evitan la contaminación o la difusión de impurezas.
Leer másEnviar ConsultaEl soporte de obleas de grabado ICP de Semicorex es la solución perfecta para los procesos de manipulación de obleas a alta temperatura, como la epitaxia y MOCVD. Con una resistencia estable a la oxidación a alta temperatura de hasta 1600 °C, nuestros portadores garantizan perfiles térmicos uniformes, patrones de flujo de gas laminar y evitan la contaminación o la difusión de impurezas.
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