La mayoría de los productores de sustratos de SiC hoy en día utilizan un diseño de crisol que implica un cilindro de grafito poroso para el proceso de campo caliente. El proceso implica colocar partículas de SiC de alta pureza entre la pared del crisol de grafito y el cilindro de grafito poroso mientras se profundiza el crisol y se aumenta su diámetro. Esto aumenta el área de evaporación de la materia prima y al mismo tiempo aumenta el volumen de carga.
El nuevo proceso resuelve el problema de los defectos cristalinos que surgen debido a la recristalización de la parte superior de la materia prima a medida que crece la superficie del material fuente, lo que afecta el flujo del material sublimado. Además, el nuevo proceso reduce la sensibilidad de la distribución de temperatura del área de la materia prima al crecimiento de cristales, estabiliza la eficiencia de transferencia de masa, reduce la influencia de las inclusiones de carbono durante la última etapa de crecimiento y mejora aún más la calidad de los cristales de SiC. Además, el nuevo proceso adopta un método de fijación de bandeja de cristal sin semillas que no se adhiere a los cristales de las semillas, liberando así la expansión térmica y facilitando el alivio del estrés. Este nuevo proceso optimiza el campo térmico y mejora enormemente la eficiencia de la expansión.
Es importante señalar que la calidad y el rendimiento de los monocristales de SiC obtenidos mediante este nuevo proceso dependen en gran medida de las propiedades físicas del grafito crisol y del grafito poroso. Sin embargo, la oferta en el mercado es actualmente muy escasa en relación con la creciente demanda.
Características clave del grafito poroso:
Distribución adecuada del tamaño de los poros;
Porosidad suficientemente alta;
Mecánico para cumplir con los requisitos de procesamiento y uso.
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