La placa central de grafito Semicorex o susceptor MOCVD es carburo de silicio de alta pureza recubierto mediante el método de deposición química de vapor (CVD), que se utiliza en el proceso para hacer crecer la capa epitaxial en el chip de la oblea. El susceptor recubierto de SiC es una parte esencial del MOCVD, por lo que exige una resistencia química y térmica superior, así como una alta uniformidad térmica. Hemos diseñado específicamente para estas exigentes aplicaciones de equipos de epitaxia.
El susceptor Semicorex MOCVD 3x2'' desarrollado por Semicorex representa un pináculo de innovación y excelencia en ingeniería, diseñado específicamente para satisfacer las intrincadas demandas de los procesos de fabricación de semiconductores contemporáneos.**
Leer másEnviar ConsultaEl anillo de recubrimiento de SiC Semicorex es un componente crítico en el exigente entorno de los procesos de epitaxia de semiconductores. Con nuestro firme compromiso de ofrecer productos de alta calidad a precios competitivos, estamos listos para convertirnos en su socio a largo plazo en China.*
Leer másEnviar ConsultaEl compromiso de Semicorex con la calidad y la innovación es evidente en el segmento de cubiertas SiC MOCVD. Al permitir una epitaxia de SiC confiable, eficiente y de alta calidad, desempeña un papel vital en el avance de las capacidades de los dispositivos semiconductores de próxima generación.**
Leer másEnviar ConsultaEl segmento interno Semicorex SiC MOCVD es un consumible esencial para los sistemas de deposición química de vapor organometálico (MOCVD) utilizados en la producción de obleas epitaxiales de carburo de silicio (SiC). Está diseñado con precisión para soportar las exigentes condiciones de la epitaxia de SiC, lo que garantiza un rendimiento óptimo del proceso y epicapas de SiC de alta calidad.**
Leer másEnviar ConsultaLos susceptores de obleas de SiC Semicorex para MOCVD son un modelo de precisión e innovación, diseñados específicamente para facilitar la deposición epitaxial de materiales semiconductores en obleas. Las propiedades superiores del material de las placas les permiten soportar las estrictas condiciones de crecimiento epitaxial, incluidas altas temperaturas y ambientes corrosivos, lo que las hace indispensables para la fabricación de semiconductores de alta precisión. En Semicorex nos dedicamos a fabricar y suministrar susceptores de obleas de SiC de alto rendimiento para MOCVD que fusionan calidad con rentabilidad.
Leer másEnviar ConsultaLos portadores de obleas Semicorex con revestimiento de SiC, parte integral del sistema de crecimiento epitaxial, se distinguen por su pureza excepcional, resistencia a temperaturas extremas y propiedades de sellado robustas, y sirven como bandeja esencial para el soporte y calentamiento de obleas semiconductoras durante la fase crítica de la deposición de la capa epitaxial, optimizando así el rendimiento general del proceso MOCVD. En Semicorex nos dedicamos a fabricar y suministrar portadores de obleas de alto rendimiento con revestimiento de SiC que fusionan calidad con rentabilidad.
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