Los susceptores planetarios recubiertos de SiC Semicorex son componentes de soporte de grafito de alta precisión cubiertos con una densa capa de carburo de silicio, especialmente diseñados para los equipos MOCVD avanzados. Pueden permitir un flujo de gas y una distribución térmica uniformes, contribuyendo así a crear un entorno epitaxial óptimo.
Los susceptores planetarios recubiertos de SiC Semicorex son un componente de soporte indispensable diseñado para el crecimiento epitaxial de semiconductores en equipos Aixtron G2, en los que pueden soportar de forma segura obleas y girar en forma de movimiento planetario. De esta manera, se puede lograr con éxito una uniformidad térmica precisa y una distribución uniforme del gas a través de la superficie de la oblea, lo que da como resultado una deposición de capas epitaxiales de primera calidad sobre las obleas.
Recubrimiento de SiC Semicorexsusceptores planetariosPresentan una distribución uniforme de varios bolsillos de oblea con dimensiones controladas con precisión. Estas bolsas de oblea pueden sujetar firmemente los sustratos de oblea durante el proceso de crecimiento epitaxial, lo que puede minimizar eficazmente las variaciones del proceso epitaxial causadas por el movimiento no deseado de los sustratos de oblea. Además, este diseño de bolsillo de múltiples obleas permite que múltiples sustratos de obleas se sometan a una deposición epitaxial simultáneamente en una sola ejecución del proceso, lo que mejora en gran medida la eficiencia general del proceso de crecimiento epitaxial.
Semicorex incorpora un conjunto cuidadosamente diseñado de canales de flujo de gas en surecubierto de SiCsusceptores planetarios, que refina la optimización de la dinámica del flujo de gas y la uniformidad térmica a través de la superficie de la oblea durante todo el proceso epitaxial. Este cuidadoso diseño permite un control preciso sobre el caudal y la distribución del gas dentro de la cámara de reacción, lo cual es esencial para lograr películas delgadas de alta calidad, un espesor de capa uniforme y un rendimiento general confiable del dispositivo.
Los susceptores planetarios recubiertos de SiC de Semicorex se fabrican con materiales de pureza ultraalta y niveles de impureza extremadamente bajos, lo que cumple plenamente con los estrictos requisitos de limpieza de la fabricación de semiconductores. Minimizan eficazmente la contaminación de las obleas causada por la desgasificación metálica, incluso en las condiciones corrosivas y de alta temperatura típicas de los procesos epitaxiales.
El control de calidad de Semicorex comienza con nuestra rigurosa selección de materias primas. Los susceptores planetarios recubiertos de SiC están fabricados con precisión a partir de grafito de grado semiconductor y carburo de silicio, lo que ofrece una excelente resistencia a las altas temperaturas y a la corrosión, lo que los hace resistir perfectamente las desafiantes condiciones de funcionamiento epitaxiales altamente corrosivas y de alta temperatura. Con estas excelentes propiedades del material, los susceptores planetarios recubiertos de SiC de Semicorex pueden mantener su rendimiento constante y su integridad estructural y evitar daños en la superficie y la disminución del rendimiento en cámaras de reacción de alta temperatura y alta corrosión, lo que prolonga en gran medida la vida útil de los susceptores planetarios recubiertos de SiC.
Susceptor de grafito recubierto de SiC para MOCVD
Susceptor MOCVD recubierto de SiC
Susceptor MOCVD para crecimiento epitaxial
Placa de disco en estrella con cubierta MOCVD para epitaxia de oblea
Plataforma satelital de grafito MOCVD recubierta de SiC