Susceptores de base de grafito recubiertos de SiC para MOCVD

Los susceptores de base de grafito recubiertos de SiC Semicorex para MOCVD son portadores de calidad superior utilizados en la industria de semiconductores. Nuestro producto está diseñado con carburo de silicio de alta calidad que proporciona un rendimiento excelente y una durabilidad duradera. Este portador es ideal para usar en el proceso de crecimiento de una capa epitaxial en el chip de oblea.

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Descripción del Producto

Nuestros susceptores de base de grafito recubiertos de SiC para MOCVD tienen una alta resistencia al calor y a la corrosión que garantiza una gran estabilidad incluso en entornos extremos.
Las características de estos susceptores de base de grafito recubiertos de SiC para MOCVD son excepcionales. Está elaborado con un recubrimiento de carburo de silicio de alta pureza sobre grafito, lo que lo hace altamente resistente a la oxidación a altas temperaturas de hasta 1600°C. El proceso de deposición química de vapor CVD utilizado en su fabricación garantiza una alta pureza y una excelente resistencia a la corrosión. La superficie del soporte es densa, con partículas finas que mejoran su resistencia a la corrosión, haciéndolo resistente a ácidos, álcalis, sales y reactivos orgánicos.
Nuestros susceptores de base de grafito recubiertos de SiC para MOCVD garantizan un perfil térmico uniforme, garantizando el mejor patrón de flujo de gas laminar. Evita que cualquier contaminación o impurezas se difundan en la oblea, lo que la hace ideal para su uso en entornos de salas blancas. Semicorex es un fabricante y proveedor a gran escala de susceptor de grafito recubierto de SiC en China, y nuestros productos tienen una buena ventaja de precio. Esperamos convertirnos en su socio a largo plazo en la industria de los semiconductores.

Parámetros de susceptores de base de grafito recubiertos de SiC para MOCVD

Especificaciones principales del recubrimiento CVD-SIC
Propiedades de SiC-CVD
Estructura cristalina	Fase β de la FCC
Densidad	gramos/cm³	3.21
Dureza	Dureza Vickers	2500
Tamaño de grano	μm	2~10
Pureza química	%	99.99995
Capacidad calorífica	J kg-1 K-1	640
Temperatura de sublimación	℃	2700
Fuerza flexural	MPa (RT 4 puntos)	415
Módulo de Young	Gpa (curvatura de 4 puntos, 1300 ℃)	430
Expansión Térmica (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conductividad térmica	(W/mK)	300

Características del susceptor de grafito recubierto de SiC para MOCVD

- Evite que se despegue y garantice el recubrimiento en toda la superficie.
Resistencia a la oxidación a altas temperaturas: estable a altas temperaturas de hasta 1600 °C
Alta pureza: elaborado mediante deposición química de vapor CVD en condiciones de cloración a alta temperatura.
Resistencia a la corrosión: alta dureza, superficie densa y partículas finas.
Resistencia a la corrosión: ácidos, álcalis, sal y reactivos orgánicos.
- Lograr el mejor patrón de flujo de gas laminar
- Garantizar la uniformidad del perfil térmico.
- Prevenir cualquier contaminación o difusión de impurezas.

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