Susceptor MOCVD recubierto de SiC

Semicorex es un fabricante y proveedor líder de susceptores MOCVD recubiertos de SiC. Nuestro producto está especialmente diseñado para que las industrias de semiconductores hagan crecer la capa epitaxial en el chip de oblea. El soporte de grafito recubierto de carburo de silicio de alta pureza se utiliza como placa central en MOCVD, con un diseño en forma de engranaje o anillo. Nuestro susceptor es ampliamente utilizado en equipos MOCVD, asegurando una alta resistencia al calor y a la corrosión, y una gran estabilidad en ambientes extremos.

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Descripción del Producto

Una de las características más importantes de nuestro susceptor MOCVD recubierto de SiC es que garantiza un recubrimiento en toda la superficie, evitando que se despegue. El producto tiene resistencia a la oxidación a altas temperaturas, que es estable a altas temperaturas de hasta 1600°C. La alta pureza se logra mediante el uso de deposición química de vapor CVD en condiciones de cloración a alta temperatura. El producto tiene una superficie densa con partículas finas, lo que lo hace altamente resistente a la corrosión causada por ácidos, álcalis, sales y reactivos orgánicos.
Nuestro susceptor MOCVD recubierto de SiC garantiza el mejor patrón de flujo de gas laminar, lo que garantiza la uniformidad del perfil térmico. Esto ayuda a prevenir cualquier contaminación o difusión de impurezas, asegurando un crecimiento epitaxial de alta calidad en el chip de la oblea. Semicorex ofrece una ventaja de precio competitivo y cubre muchos de los mercados europeos y americanos. Nuestro equipo está dedicado a brindar un excelente servicio y soporte al cliente. Estamos comprometidos a convertirnos en su socio a largo plazo, brindándole productos confiables y de alta calidad para ayudar a que su negocio crezca.

Parámetros del susceptor MOCVD recubierto de SiC

Especificaciones principales del recubrimiento CVD-SIC
Propiedades de SiC-CVD
Estructura cristalina	Fase β de la FCC
Densidad	gramos/cm³	3.21
Dureza	Dureza Vickers	2500
Tamaño de grano	µm	2~10
Pureza química	%	99.99995
Capacidad calorífica	J kg-1 K-1	640
Temperatura de sublimación	℃	2700
Fuerza flexural	MPa (RT 4 puntos)	415
Módulo de Young	Gpa (curvatura de 4 puntos, 1300 ℃)	430
Expansión Térmica (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conductividad térmica	(W/mK)	300

Características del susceptor MOCVD recubierto de SiC

- Evite que se despegue y garantice el recubrimiento en toda la superficie.
Resistencia a la oxidación a altas temperaturas: estable a altas temperaturas de hasta 1600 °C
Alta pureza: elaborado mediante deposición química de vapor CVD en condiciones de cloración a alta temperatura.
Resistencia a la corrosión: alta dureza, superficie densa y partículas finas.
Resistencia a la corrosión: ácidos, álcalis, sal y reactivos orgánicos.
- Lograr el mejor patrón de flujo de gas laminar
- Garantizar la uniformidad del perfil térmico.
- Prevenir cualquier contaminación o difusión de impurezas.