Placa de disco en estrella con cubierta MOCVD para epitaxia de oblea

Semicorex es un reconocido fabricante y proveedor de placas de disco en estrella de cubierta MOCVD de alta calidad para epitaxia de obleas. Nuestro producto está especialmente diseñado para satisfacer las necesidades de la industria de semiconductores, particularmente en el crecimiento de la capa epitaxial en el chip de oblea. Nuestro susceptor se utiliza como placa central en MOCVD, con un diseño en forma de engranaje o anillo. El producto es altamente resistente al calor elevado y a la corrosión, lo que lo hace ideal para su uso en ambientes extremos.

Enviar Consulta

Descripción del Producto

Nuestra placa de disco MOCVD Cover Star para epitaxia de obleas es un excelente producto que garantiza un recubrimiento en toda la superficie, evitando así que se despegue. Tiene una resistencia a la oxidación a altas temperaturas que garantiza la estabilidad incluso a altas temperaturas de hasta 1600°C. El producto se elabora con alta pureza mediante deposición química de vapor CVD en condiciones de cloración a alta temperatura. Tiene una superficie densa con partículas finas, lo que lo hace altamente resistente a la corrosión causada por ácidos, álcalis, sales y reactivos orgánicos.
Nuestra placa de disco en forma de estrella de cubierta MOCVD para epitaxia de oblea garantiza el mejor patrón de flujo de gas laminar, asegurando la uniformidad del perfil térmico. Previene cualquier contaminación o difusión de impurezas, asegurando un crecimiento epitaxial de alta calidad en el chip de la oblea. Nuestro producto tiene un precio competitivo, lo que lo hace accesible a muchos clientes. Cubrimos muchos de los mercados europeos y americanos, y nuestro equipo está dedicado a brindar un excelente servicio y soporte al cliente. Nos esforzamos por convertirnos en su socio a largo plazo para proporcionar una placa de disco en estrella de cubierta MOCVD confiable y de alta calidad para epitaxia de obleas.

Parámetros de la placa de disco en estrella de cubierta MOCVD para epitaxia de oblea

Especificaciones principales del recubrimiento CVD-SIC
Propiedades de SiC-CVD
Estructura cristalina	Fase β de la FCC
Densidad	gramos/cm³	3.21
Dureza	Dureza Vickers	2500
Tamaño de grano	µm	2~10
Pureza química	%	99.99995
Capacidad calorífica	J kg-1 K-1	640
Temperatura de sublimación	℃	2700
Fuerza flexural	MPa (RT 4 puntos)	415
Módulo de Young	Gpa (curvatura de 4 puntos, 1300 ℃)	430
Expansión Térmica (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conductividad térmica	(W/mK)	300

Características de la placa de disco en estrella de cubierta MOCVD para epitaxia de oblea

- Evite que se despegue y garantice el recubrimiento en toda la superficie.
Resistencia a la oxidación a altas temperaturas: estable a altas temperaturas de hasta 1600 °C
Alta pureza: elaborado mediante deposición química de vapor CVD en condiciones de cloración a alta temperatura.
Resistencia a la corrosión: alta dureza, superficie densa y partículas finas.
Resistencia a la corrosión: ácidos, álcalis, sal y reactivos orgánicos.
- Lograr el mejor patrón de flujo de gas laminar
- Garantizar la uniformidad del perfil térmico.
- Prevenir cualquier contaminación o difusión de impurezas.

Etiquetas calientes: Placa de disco de estrella de cubierta MOCVD para epitaxia de oblea, China, fabricantes, proveedores, fábrica, personalizada, a granel, avanzada, duradera

Etiqueta del producto

Categoría relacionada