Susceptor de grafito con revestimiento de carburo de silicio para MOCVD

Semicorex es un proveedor y fabricante confiable de susceptores de grafito con recubrimiento de carburo de silicio para MOCVD. Nuestro producto está especialmente diseñado para satisfacer las necesidades de la industria de semiconductores en cuanto al crecimiento de la capa epitaxial en el chip de oblea. El producto se utiliza como placa central en MOCVD, con un diseño en forma de engranaje o anillo. Tiene alta resistencia al calor y a la corrosión, lo que lo hace ideal para usar en ambientes extremos.

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Descripción del Producto

Nuestro susceptor de grafito con recubrimiento de carburo de silicio para MOCVD tiene varias características clave que lo distinguen de la competencia. Garantiza un recubrimiento en toda la superficie, evitando que se despegue, y tiene resistencia a la oxidación a altas temperaturas, lo que garantiza estabilidad incluso a altas temperaturas de hasta 1600°C. El producto se elabora con alta pureza mediante deposición química de vapor CVD en condiciones de cloración a alta temperatura. Tiene una superficie densa con partículas finas, lo que lo hace altamente resistente a la corrosión causada por ácidos, álcalis, sales y reactivos orgánicos.
Nuestro susceptor de grafito con recubrimiento de carburo de silicio para MOCVD está diseñado para lograr el mejor patrón de flujo de gas laminar, asegurando la uniformidad del perfil térmico. Previene cualquier contaminación o difusión de impurezas, asegurando un crecimiento epitaxial de alta calidad en el chip de la oblea.

Parámetros del susceptor de grafito con revestimiento de carburo de silicio para MOCVD

Especificaciones principales del recubrimiento CVD-SIC
Propiedades de SiC-CVD
Estructura cristalina	Fase β de la FCC
Densidad	gramos/cm³	3.21
Dureza	Dureza Vickers	2500
Tamaño de grano	µm	2~10
Pureza química	%	99.99995
Capacidad calorífica	J kg-1 K-1	640
Temperatura de sublimación	℃	2700
Fuerza flexural	MPa (RT 4 puntos)	415
Módulo de Young	Gpa (curvatura de 4 puntos, 1300 ℃)	430
Expansión Térmica (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conductividad térmica	(W/mK)	300

Características del susceptor de grafito con revestimiento de carburo de silicio para MOCVD

- Evite que se despegue y garantice el recubrimiento en toda la superficie.
Resistencia a la oxidación a altas temperaturas: estable a altas temperaturas de hasta 1600 °C
Alta pureza: elaborado mediante deposición química de vapor CVD en condiciones de cloración a alta temperatura.
Resistencia a la corrosión: alta dureza, superficie densa y partículas finas.
Resistencia a la corrosión: ácidos, álcalis, sal y reactivos orgánicos.
- Lograr el mejor patrón de flujo de gas laminar
- Garantizar la uniformidad del perfil térmico.
- Prevenir cualquier contaminación o difusión de impurezas.

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