Plataforma satelital de grafito MOCVD recubierta de SiC

Semicorex es un proveedor y fabricante acreditado de plataforma satelital de grafito MOCVD recubierto de SiC. Nuestro producto está especialmente diseñado para satisfacer las necesidades de la industria de semiconductores en cuanto al crecimiento de la capa epitaxial en el chip de oblea. El producto se utiliza como placa central en MOCVD, con un diseño en forma de engranaje o anillo. Tiene alta resistencia al calor y a la corrosión, lo que lo hace ideal para usar en ambientes extremos.

Enviar Consulta

Descripción del Producto

Una de las características más importantes de nuestra plataforma satelital de grafito MOCVD recubierta de SiC es su capacidad para garantizar el recubrimiento en toda la superficie, evitando que se despegue. Tiene resistencia a la oxidación a altas temperaturas, lo que garantiza estabilidad incluso a altas temperaturas de hasta 1600°C. El producto se elabora con alta pureza mediante deposición química de vapor CVD en condiciones de cloración a alta temperatura. Tiene una superficie densa con partículas finas, lo que lo hace altamente resistente a la corrosión causada por ácidos, álcalis, sales y reactivos orgánicos.
Nuestra plataforma satelital de grafito MOCVD recubierta de SiC está diseñada para garantizar el mejor patrón de flujo laminar de gas, asegurando la uniformidad del perfil térmico. Previene cualquier contaminación o difusión de impurezas, asegurando un crecimiento epitaxial de alta calidad en el chip de la oblea. Ofrecemos precios competitivos para nuestro producto, haciéndolo accesible a muchos clientes. Nuestro equipo está dedicado a brindar un excelente servicio y soporte al cliente. Cubrimos muchos de los mercados europeos y americanos, y nos esforzamos por convertirnos en su socio a largo plazo en el suministro de una plataforma satelital de grafito MOCVD recubierta de SiC confiable y de alta calidad. Contáctenos hoy para obtener más información sobre nuestro producto.

Parámetros de la plataforma satelital de grafito MOCVD recubierta de SiC

Especificaciones principales del recubrimiento CVD-SIC
Propiedades de SiC-CVD
Estructura cristalina	Fase β de la FCC
Densidad	gramos/cm³	3.21
Dureza	Dureza Vickers	2500
Tamaño de grano	µm	2~10
Pureza química	%	99.99995
Capacidad calorífica	J kg-1 K-1	640
Temperatura de sublimación	℃	2700
Fuerza flexural	MPa (RT 4 puntos)	415
Módulo de Young	Gpa (curvatura de 4 puntos, 1300 ℃)	430
Expansión Térmica (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conductividad térmica	(W/mK)	300

Características de la plataforma satelital de grafito MOCVD recubierta de SiC

- Evite que se despegue y garantice el recubrimiento en toda la superficie.
Resistencia a la oxidación a altas temperaturas: estable a altas temperaturas de hasta 1600 °C
Alta pureza: elaborado mediante deposición química de vapor CVD en condiciones de cloración a alta temperatura.
Resistencia a la corrosión: alta dureza, superficie densa y partículas finas.
Resistencia a la corrosión: ácidos, álcalis, sal y reactivos orgánicos.
- Lograr el mejor patrón de flujo de gas laminar
- Garantizar la uniformidad del perfil térmico.
- Prevenir cualquier contaminación o difusión de impurezas.

Etiquetas calientes: Plataforma satelital de grafito MOCVD recubierta de SiC, China, fabricantes, proveedores, fábrica, personalizada, a granel, avanzada, duradera

Etiqueta del producto

Categoría relacionada