Hogar > productos > Revestimiento de carburo de silicio > Susceptor de MOCVD > Susceptor de grafito recubierto de SiC para MOCVD
Susceptor de grafito recubierto de SiC para MOCVD
  • Susceptor de grafito recubierto de SiC para MOCVDSusceptor de grafito recubierto de SiC para MOCVD
  • Susceptor de grafito recubierto de SiC para MOCVDSusceptor de grafito recubierto de SiC para MOCVD

Susceptor de grafito recubierto de SiC para MOCVD

Semicorex es un fabricante y proveedor a gran escala de susceptor de grafito recubierto de carburo de silicio en China. Nos centramos en las industrias de semiconductores, como las capas de carburo de silicio y los semiconductores de epitaxia. Nuestro susceptor de grafito recubierto de SiC para MOCVD tiene una buena ventaja de precio y cubre muchos de los mercados europeos y americanos. Esperamos convertirnos en su socio a largo plazo.

Enviar Consulta

Descripción del Producto

El susceptor de grafito recubierto de SiC Semicorex para MOCVD es un portador de grafito recubierto de carburo de silicio de alta pureza que se utiliza en el proceso para hacer crecer la capa epixial en el chip de oblea. Es la placa central en MOCVD, la forma de engranaje o anillo. El susceptor de grafito recubierto de SiC para MOCVD tiene una alta resistencia al calor y a la corrosión, que tiene una gran estabilidad en ambientes extremos.
En Semicorex, estamos comprometidos a brindar productos y servicios de alta calidad a nuestros clientes. Utilizamos solo los mejores materiales y nuestros productos están diseñados para cumplir con los más altos estándares de calidad y rendimiento. Nuestro susceptor de grafito recubierto de SiC para MOCVD no es una excepción. Contáctenos hoy para obtener más información sobre cómo podemos ayudarlo con sus necesidades de procesamiento de obleas de semiconductores.


Parámetros del susceptor de grafito recubierto de SiC para MOCVD

Especificaciones principales del recubrimiento CVD-SIC

Propiedades de SiC-CVD

Estructura cristalina

Fase β de la FCC

Densidad

g/cm³

3.21

Dureza

Dureza Vickers

2500

Tamaño de grano

μm

2~10

Pureza química

%

99.99995

Capacidad calorífica

J·kg-1 ·K-1

640

Temperatura de sublimación

2700

Fuerza flexural

MPa (RT 4 puntos)

415

Módulo de Young

Gpa (curva de 4 puntos, 1300â)

430

Expansión Térmica (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Conductividad térmica

(W/mK)

300


Características del susceptor de grafito recubierto de SiC para MOCVD

- Evite despegarse y asegure el recubrimiento en toda la superficie
Resistencia a la oxidación a alta temperatura: Estable a altas temperaturas hasta 1600°C
Alta pureza: fabricado por deposición de vapor químico CVD en condiciones de cloración a alta temperatura.
Resistencia a la corrosión: alta dureza, superficie densa y partículas finas.
Resistencia a la corrosión: ácidos, álcalis, sales y reactivos orgánicos.
- Lograr el mejor patrón de flujo de gas laminar
- Garantizar la uniformidad del perfil térmico.
- Evitar cualquier contaminación o difusión de impurezas.




Etiquetas calientes: Susceptor de grafito recubierto de SiC para MOCVD, China, fabricantes, proveedores, fábrica, personalizado, a granel, avanzado, duradero

Categoría relacionada

Enviar Consulta

Por favor, siéntase libre de dar su consulta en el siguiente formulario. Le responderemos en 24 horas.
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept