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Susceptor de grafito recubierto de SiC para MOCVD
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Susceptor de grafito recubierto de SiC para MOCVD

Semicorex es un fabricante y proveedor a gran escala de susceptor de grafito recubierto de carburo de silicio en China. Nos centramos en industrias de semiconductores como las capas de carburo de silicio y los semiconductores epitaxia. Nuestro susceptor de grafito recubierto de SiC para MOCVD tiene una buena ventaja de precio y cubre muchos de los mercados europeos y americanos. Esperamos convertirnos en su socio a largo plazo.

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Descripción del Producto

El susceptor de grafito recubierto de SiC Semicorex para MOCVD es un portador de grafito recubierto de carburo de silicio de alta pureza que se utiliza en el proceso para hacer crecer la capa epixial en el chip de oblea. Es la placa central en MOCVD, con forma de engranaje o anillo. El susceptor de grafito recubierto de SiC para MOCVD tiene una alta resistencia al calor y a la corrosión, lo que tiene una gran estabilidad en ambientes extremos.
En Semicorex, estamos comprometidos a brindar productos y servicios de alta calidad a nuestros clientes. Utilizamos sólo los mejores materiales y nuestros productos están diseñados para cumplir con los más altos estándares de calidad y rendimiento. Nuestro susceptor de grafito recubierto de SiC para MOCVD no es una excepción. Contáctenos hoy para obtener más información sobre cómo podemos ayudarlo con sus necesidades de procesamiento de obleas semiconductoras.


Parámetros del susceptor de grafito recubierto de SiC para MOCVD

Especificaciones principales del recubrimiento CVD-SIC

Propiedades de SiC-CVD

Estructura cristalina

Fase β de la FCC

Densidad

gramos/cm³

3.21

Dureza

Dureza Vickers

2500

Tamaño de grano

µm

2~10

Pureza química

%

99.99995

Capacidad calorífica

J kg-1 K-1

640

Temperatura de sublimación

2700

Fuerza flexural

MPa (RT 4 puntos)

415

Módulo de Young

Gpa (curvatura de 4 puntos, 1300 ℃)

430

Expansión Térmica (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Conductividad térmica

(W/mK)

300


Características del susceptor de grafito recubierto de SiC para MOCVD

- Evite que se despegue y garantice el recubrimiento en toda la superficie.
Resistencia a la oxidación a altas temperaturas: estable a altas temperaturas de hasta 1600 °C
Alta pureza: elaborado mediante deposición química de vapor CVD en condiciones de cloración a alta temperatura.
Resistencia a la corrosión: alta dureza, superficie densa y partículas finas.
Resistencia a la corrosión: ácidos, álcalis, sal y reactivos orgánicos.
- Lograr el mejor patrón de flujo de gas laminar
- Garantizar la uniformidad del perfil térmico.
- Prevenir cualquier contaminación o difusión de impurezas.




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