China Sustrato de SiC Fabricantes, Proveedores, Fábrica

Una fina porción de material semiconductor se denomina oblea y está formada por un material monocristalino muy puro. En el proceso Czochralski, se fabrica un lingote cilíndrico de un semiconductor monocristalino de alta pureza extrayendo un cristal semilla de una masa fundida.

El carburo de silicio (SiC) y sus politipos han formado parte de la civilización humana durante mucho tiempo; El interés técnico de este compuesto duro y estable fue descubierto en 1885 y 1892 por Cowless y Acheson para fines de molienda y corte, lo que llevó a su fabricación a gran escala.

Sus excelentes propiedades físicas y químicas hacen del carburo de silicio (SiC) un candidato destacado para una variedad de aplicaciones, incluidos dispositivos optoelectrónicos de alta temperatura, alta potencia y alta frecuencia, un componente estructural en reactores de fusión, material de revestimiento para sistemas refrigerados por gas. reactores de fisión y una matriz inerte para la transmutación de Pu. Se han utilizado ampliamente diferentes politipos de SiC, como 3C, 6H y 4H. La implantación de iones es una técnica fundamental para introducir selectivamente dopantes para la producción de dispositivos basados ​​en Si, para fabricar obleas de SiC de tipo p y n.

el lingoteLuego se corta para formar obleas de SiC de carburo de silicio.

Propiedades del material de carburo de silicio

Diferentes tipos de obleas de SiC

Hay tres tipos:oblea sic tipo n, oblea sic tipo pyOblea sic semiaislante de alta pureza. El dopaje se refiere a la implantación de iones que introduce impurezas en un cristal de silicio. Estos dopantes permiten que los átomos del cristal formen enlaces iónicos, haciendo que el cristal, que alguna vez fue intrínseco, sea extrínseco. Este proceso introduce dos tipos de impurezas; Tipo N y tipo P. El "tipo" en el que se convierte depende de los materiales utilizados para crear la reacción química. La diferencia entre la oblea de SiC tipo N y tipo P es el material principal utilizado para crear la reacción química durante el dopaje. Dependiendo del material utilizado, el orbital exterior tendrá cinco o tres electrones, uno con carga negativa (tipo N) y otro con carga positiva (tipo P).

Las obleas de SiC tipo N se utilizan principalmente en vehículos de nueva energía, subestaciones y transmisiones de alto voltaje, electrodomésticos, trenes de alta velocidad, motores, inversores fotovoltaicos, fuentes de alimentación por impulsos, etc. Tienen las ventajas de reducir la pérdida de energía del equipo y mejorar confiabilidad del equipo, reduciendo el tamaño del equipo y mejorando el rendimiento del equipo, y tienen ventajas irremplazables en la fabricación de dispositivos electrónicos de potencia.

La oblea de SiC semiaislante de alta pureza se utiliza principalmente como sustrato de dispositivos de RF de alta potencia.

Epitaxia - Deposición de nitruro III-V

Capas epitaxiales de SiC, GaN, AlxGa1-xN e InyGa1-yN sobre sustrato de SiC o sustrato de zafiro.