Sustrato de oblea 3C-SiC

El sustrato de oblea 3C-SiC (carburo de silicio cúbico) se refiere a un tipo específico de estructura cristalina de carburo de silicio que se usa comúnmente como material de sustrato en el campo de la fabricación de dispositivos semiconductores. Es una alternativa a otros sustratos a base de silicio, como el silicio (Si) o el silicio germanio (SiGe), debido a sus propiedades superiores.

Sustrato de oblea 3C-SiC con alta conductividad térmica, solo superada por el diamante. El carburo de silicio es conocido por su excelente conductividad térmica, alta intensidad de campo eléctrico de ruptura y amplia banda prohibida, lo que lo hace muy adecuado para aplicaciones en electrónica de potencia, dispositivos de alta temperatura y dispositivos de alta frecuencia.