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Oblea de SiC HPSI semiaislante de 6 pulgadas
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Oblea de SiC HPSI semiaislante de 6 pulgadas

Semicorex ofrece varios tipos de obleas de SiC 4H y 6H. Hemos sido fabricantes y proveedores de productos de carburo de silicio durante muchos años. Nuestra oblea de SiC HPSI semiaislante de 6 pulgadas con doble pulido tiene una buena ventaja de precio y cubre la mayoría de los mercados europeos y americanos. Esperamos convertirnos en su socio a largo plazo en China.

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Descripción del Producto

Semicorex tiene una línea completa de productos de obleas de carburo de silicio (SiC), que incluye sustratos 4H y 6H con obleas semiaislantes tipo N, tipo P y de alta pureza, que pueden ser con o sin epitaxia.

El diámetro de 6 pulgadas de nuestra oblea HPSI SiC semiaislante de 6 pulgadas proporciona una gran superficie para fabricar dispositivos electrónicos de potencia como MOSFET, diodos Schottky y otras aplicaciones de alto voltaje. La oblea HPSI SiC semiaislante de 6 pulgadas se utiliza principalmente en comunicaciones 5G, sistemas de radar, cabezales de guía, comunicaciones por satélite, aviones de combate y otros campos, con las ventajas de mejorar el alcance de RF, identificación de alcance ultralargo, antiinterferencias y alta -Las aplicaciones de transferencia de información de alta velocidad y alta capacidad se consideran el sustrato más ideal para fabricar dispositivos de potencia de microondas.


Presupuesto:

● Diámetro: 6″

●Doble pulido

● Grado: Producción, Investigación, Dummy

● Oblea HPSI 4H-SiC

● Espesor: 500±25 µm

● Densidad del microtubo: ≤1 ea/cm2~ ≤15 c/u/cm2


Elementos

Producción

Investigación

Ficticio

Parámetros de cristal

politipo

4H

Orientación de la superficie en el eje

<0001>

Orientación de la superficie fuera del eje

0±0,2°

(0004)FWHM

≤45 segundos de arco

≤60 segundos de arco

≤1OOarcseg

Parámetros eléctricos

Tipo

HPSI

Resistividad

≥1 E8ohm·cm

100% área > 1 E5ohm·cm

70% área > 1 E5ohm·cm

Parámetros mecánicos

Diámetro

150±0,2mm

Espesor

500±25 micras

Orientación plana primaria

[1-100]±5° o muesca

Longitud/profundidad del plano primario

47,5±1,5 mm o 1 - 1,25 mm

televisión

≤5 micras

≤10 micras

≤15 micras

TVL

≤3 micras(5mm*5mm)

≤5 micras(5mm*5mm)

≤10 micras(5mm*5mm)

Arco

-15 μm ~ 15 μm

-35 μm ~ 35 μm

-45 μm ~ 45 μm

Urdimbre

≤35 micras

≤45 micras

≤55 micras

Rugosidad frontal (Si-face) (AFM)

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

Estructura

Densidad de microtubos

≤1 unidad/cm2

≤10 cada uno/cm2

≤15 cada uno/cm2

Densidad de inclusión de carbono

≤1 unidad/cm2

ESO

vacío hexagonal

Ninguno

ESO

Impurezas metálicas

≤5E12átomos/cm2

ESO

Calidad frontal

Frente

Y

Acabado superficial

CMP de cara Si

Partículas

≤60ea/oblea (tamaño≥0,3μm)

ESO

Arañazos

≤5ea/mm. Longitud acumulada ≤Diámetro

Longitud acumulada≤300mm

ESO

Piel de naranja/huevos/manchas/estrías/grietas/contaminación

Ninguno

ESO

Descantillados/hendiduras/fracturas/placas hexagonales

Ninguno

Áreas politipo

Ninguno

Área acumulada≤20%

Área acumulada≤30%

Marcado láser frontal

Ninguno

Calidad trasera

Acabado trasero

CMP cara C

Arañazos

≤5ea/mm, longitud acumulada≤2*Diámetro

ESO

Defectos posteriores (descantillados/hendiduras en los bordes)

Ninguno

Rugosidad de la espalda

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

Marcado láser trasero

"SEMI"

Borde

Borde

Chaflán

Embalaje

Embalaje

Epi-ready con envasado al vacío

Envasado de casetes de obleas múltiples

*Notas: "NA" significa sin solicitud. Los artículos no mencionados pueden referirse a SEMI-STD.




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