Semicorex ofrece varios tipos de obleas de SiC 4H y 6H. Hemos sido fabricantes y proveedores de productos de carburo de silicio durante muchos años. Nuestra oblea de SiC HPSI semiaislante de 6 pulgadas con doble pulido tiene una buena ventaja de precio y cubre la mayoría de los mercados europeos y americanos. Esperamos convertirnos en su socio a largo plazo en China.
Semicorex tiene una línea completa de productos de obleas de carburo de silicio (SiC), que incluye sustratos 4H y 6H con obleas semiaislantes tipo N, tipo P y de alta pureza, que pueden ser con o sin epitaxia.
El diámetro de 6 pulgadas de nuestra oblea HPSI SiC semiaislante de 6 pulgadas proporciona una gran superficie para fabricar dispositivos electrónicos de potencia como MOSFET, diodos Schottky y otras aplicaciones de alto voltaje. La oblea HPSI SiC semiaislante de 6 pulgadas se utiliza principalmente en comunicaciones 5G, sistemas de radar, cabezales de guía, comunicaciones por satélite, aviones de combate y otros campos, con las ventajas de mejorar el alcance de RF, identificación de alcance ultralargo, antiinterferencias y alta -Las aplicaciones de transferencia de información de alta velocidad y alta capacidad se consideran el sustrato más ideal para fabricar dispositivos de potencia de microondas.
Presupuesto:
● Diámetro: 6″
●Doble pulido
● Grado: Producción, Investigación, Dummy
● Oblea HPSI 4H-SiC
● Espesor: 500±25 µm
● Densidad del microtubo: ≤1 ea/cm2~ ≤15 c/u/cm2
Elementos |
Producción |
Investigación |
Ficticio |
Parámetros de cristal |
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politipo |
4H |
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Orientación de la superficie en el eje |
<0001> |
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Orientación de la superficie fuera del eje |
0±0,2° |
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(0004)FWHM |
≤45 segundos de arco |
≤60 segundos de arco |
≤1OOarcseg |
Parámetros eléctricos |
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Tipo |
HPSI |
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Resistividad |
≥1 E8ohm·cm |
100% área > 1 E5ohm·cm |
70% área > 1 E5ohm·cm |
Parámetros mecánicos |
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Diámetro |
150±0,2mm |
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Espesor |
500±25 micras |
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Orientación plana primaria |
[1-100]±5° o muesca |
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Longitud/profundidad del plano primario |
47,5±1,5 mm o 1 - 1,25 mm |
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televisión |
≤5 micras |
≤10 micras |
≤15 micras |
TVL |
≤3 micras(5mm*5mm) |
≤5 micras(5mm*5mm) |
≤10 micras(5mm*5mm) |
Arco |
-15 μm ~ 15 μm |
-35 μm ~ 35 μm |
-45 μm ~ 45 μm |
Urdimbre |
≤35 micras |
≤45 micras |
≤55 micras |
Rugosidad frontal (Si-face) (AFM) |
Ra≤0.2nm (5μm*5μm) |
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Estructura |
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Densidad de microtubos |
≤1 unidad/cm2 |
≤10 cada uno/cm2 |
≤15 cada uno/cm2 |
Densidad de inclusión de carbono |
≤1 unidad/cm2 |
ESO |
|
vacío hexagonal |
Ninguno |
ESO |
|
Impurezas metálicas |
≤5E12átomos/cm2 |
ESO |
|
Calidad frontal |
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Frente |
Y |
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Acabado superficial |
CMP de cara Si |
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Partículas |
≤60ea/oblea (tamaño≥0,3μm) |
ESO |
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Arañazos |
≤5ea/mm. Longitud acumulada ≤Diámetro |
Longitud acumulada≤300mm |
ESO |
Piel de naranja/huevos/manchas/estrías/grietas/contaminación |
Ninguno |
ESO |
|
Descantillados/hendiduras/fracturas/placas hexagonales |
Ninguno |
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Áreas politipo |
Ninguno |
Área acumulada≤20% |
Área acumulada≤30% |
Marcado láser frontal |
Ninguno |
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Calidad trasera |
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Acabado trasero |
CMP cara C |
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Arañazos |
≤5ea/mm, longitud acumulada≤2*Diámetro |
ESO |
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Defectos posteriores (descantillados/hendiduras en los bordes) |
Ninguno |
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Rugosidad de la espalda |
Ra≤0.2nm (5μm*5μm) |
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Marcado láser trasero |
"SEMI" |
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Borde |
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Borde |
Chaflán |
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Embalaje |
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Embalaje |
Epi-ready con envasado al vacío Envasado de casetes de obleas múltiples |
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*Notas: "NA" significa sin solicitud. Los artículos no mencionados pueden referirse a SEMI-STD. |