Sustrato de SiC tipo N de 4 pulgadas

Semicorex ofrece varios tipos de obleas de SiC 4H y 6H. Hemos sido fabricantes y proveedores de productos de carburo de silicio durante muchos años. Nuestro sustrato de SiC tipo N de 4 pulgadas tiene una buena ventaja de precio y cubre la mayoría de los mercados europeos y americanos. Esperamos convertirnos en su socio a largo plazo en China.

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Descripción del Producto

Semicorex tiene una línea completa de productos de obleas de carburo de silicio (SiC), que incluye sustratos 4H y 6H con obleas semiaislantes tipo N, tipo P y de alta pureza, que pueden ser con o sin epitaxia. El sustrato de SiC (carburo de silicio) tipo N de 4 pulgadas es un tipo de oblea de alta calidad hecha de un monocristal de carburo de silicio con un dopaje tipo N.

El sustrato de SiC tipo N de 4 pulgadas se utiliza principalmente en vehículos de nueva energía, transmisión y subestaciones de alto voltaje, electrodomésticos, trenes de alta velocidad, motores eléctricos, inversores fotovoltaicos, fuentes de alimentación pulsadas y otros campos, que tienen las ventajas de reducir el equipo. pérdida de energía, mejora de la confiabilidad del equipo, reducción del tamaño del equipo y mejora del rendimiento del equipo, y tienen ventajas irremplazables en la fabricación de dispositivos electrónicos de potencia.

Elementos	Producción	Investigación	Ficticio
Parámetros de cristal
politipo	4H
Error de orientación de la superficie	<11-20 >4±0,15°
Parámetros eléctricos
dopante	Nitrógeno tipo n
Resistividad	0.015-0.025ohm·cm
Parámetros mecánicos
Diámetro	99,5 - 100 mm
Espesor	350±25 micras
Orientación plana primaria	[1-100]±5°
Longitud plana primaria	32,5 ± 1,5 mm
Posición plana secundaria	90° CW desde plano primario ±5°. silicona boca arriba
Longitud plana secundaria	18±1,5 mm
televisión	≤5 micras	≤10 micras	≤20 micras
TVL	≤2 micras(5mm*5mm)	≤5 micras(5mm*5mm)	ESO
Arco	-15 μm ~ 15 μm	-35 μm ~ 35 μm	-45 μm ~ 45 μm
Urdimbre	≤20 micras	≤45 micras	≤50 micras
Rugosidad frontal (Si-face) (AFM)	Ra≤0.2nm (5μm*5μm)
Estructura
Densidad de microtubos	≤1 unidad/cm2	≤5 unidades/cm2	≤10 c/cm2
Impurezas metálicas	≤5E10átomos/cm2		ESO
TLP	≤1500 unidades/cm2	≤3000 unidades/cm2	ESO
TSD	≤500 unidades/cm2	≤1000 unidades/cm2	ESO
Calidad frontal
Frente	Y
Acabado superficial	CMP de cara Si
Partículas	≤60ea/oblea (tamaño≥0,3μm)	ESO
Arañazos	≤2ea/mm. Longitud acumulada ≤Diámetro	Longitud acumulada≤2*Diámetro	ESO
Piel de naranja/huevos/manchas/estrías/grietas/contaminación	Ninguno		ESO
Descantillados/hendiduras/fracturas/placas hexagonales	Ninguno		ESO
Áreas politipo	Ninguno	Área acumulada≤20%	Área acumulada≤30%
Marcado láser frontal	Ninguno
Calidad trasera
Acabado trasero	CMP cara C
Arañazos	≤5ea/mm, longitud acumulada≤2*Diámetro	ESO
Defectos posteriores (descantillados/hendiduras en los bordes)	Ninguno
Rugosidad de la espalda	Ra≤0.2nm (5μm*5μm)
Marcado láser trasero	1 mm (desde el borde superior)
Borde
Borde	Chaflán
Embalaje
Embalaje	La bolsa interior se llena con nitrógeno y la bolsa exterior se aspira. Casete multioblea, preparado para epi.
*Notas: "NA" significa sin solicitud. Los artículos no mencionados pueden referirse a SEMI-STD.