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China Revestimiento de carburo de silicio Fabricantes, Proveedores, Fábrica

El recubrimiento de SiC es una capa delgada sobre el susceptor a través del proceso de deposición química de vapor (CVD). El material de carburo de silicio proporciona una serie de ventajas sobre el silicio, que incluyen 10 veces la fuerza del campo eléctrico de ruptura, 3 veces la brecha de banda, lo que proporciona al material resistencia química y a altas temperaturas, excelente resistencia al desgaste y conductividad térmica.

Semicorex brinda un servicio personalizado, lo ayuda a innovar con componentes que duran más, reducen los tiempos de ciclo y mejoran los rendimientos.


El revestimiento de SiC posee varias ventajas únicas

Resistencia a altas temperaturas: el susceptor recubierto de CVD SiC puede soportar altas temperaturas de hasta 1600 °C sin sufrir una degradación térmica significativa.

Resistencia química: el revestimiento de carburo de silicio proporciona una excelente resistencia a una amplia gama de productos químicos, incluidos ácidos, álcalis y disolventes orgánicos.

Resistencia al desgaste: el recubrimiento de SiC proporciona al material una excelente resistencia al desgaste, lo que lo hace adecuado para aplicaciones que implican un alto desgaste.

Conductividad térmica: el recubrimiento CVD SiC proporciona al material una alta conductividad térmica, lo que lo hace adecuado para su uso en aplicaciones de alta temperatura que requieren una transferencia de calor eficiente.

Alta resistencia y rigidez: el susceptor recubierto de carburo de silicio proporciona al material una alta resistencia y rigidez, lo que lo hace adecuado para aplicaciones que requieren una alta resistencia mecánica.


El recubrimiento de SiC se utiliza en diversas aplicaciones.

Fabricación de LED: el susceptor recubierto de CVD SiC se utiliza en la fabricación procesada de varios tipos de LED, incluidos LED azul y verde, LED UV y LED UV profundo, debido a su alta conductividad térmica y resistencia química.



Comunicación móvil: el susceptor recubierto de CVD SiC es una parte crucial del HEMT para completar el proceso epitaxial de GaN-on-SiC.



Procesamiento de semiconductores: el susceptor recubierto de CVD SiC se utiliza en la industria de los semiconductores para diversas aplicaciones, incluido el procesamiento de obleas y el crecimiento epitaxial.





Componentes de grafito recubiertos de SiC

Fabricado con grafito de revestimiento de carburo de silicio (SiC), el revestimiento se aplica mediante un método CVD a grados específicos de grafito de alta densidad, por lo que puede operar en el horno de alta temperatura con más de 3000 °C en una atmósfera inerte, 2200 °C en vacío .

Las propiedades especiales y la baja masa del material permiten velocidades de calentamiento rápidas, una distribución uniforme de la temperatura y una precisión excepcional en el control.


Datos materiales del revestimiento Semicorex SiC

Propiedades tipicas

Unidades

Valores

Estructura


Fase β de la FCC

Orientación

Fracción (%)

111 preferido

Densidad a Granel

g/cm³

3.21

Dureza

Dureza Vickers

2500

Capacidad calorífica

J·kg-1 ·K-1

640

Expansión térmica 100â600 °C (212â1112 °F)

10-6K-1

4.5

Módulo de Young

Gpa (curva de 4 puntos, 1300â)

430

Tamaño de grano

μm

2~10

Temperatura de sublimación

2700

Fuerza flexural

MPa (RT 4 puntos)

415

Conductividad térmica

(W/mK)

300


Conclusión El susceptor revestido de CVD SiC es un material compuesto que combina las propiedades de un susceptor y del carburo de silicio. Este material posee propiedades únicas, que incluyen resistencia química y a altas temperaturas, excelente resistencia al desgaste, alta conductividad térmica y alta resistencia y rigidez. Estas propiedades lo convierten en un material atractivo para diversas aplicaciones de alta temperatura, incluido el procesamiento de semiconductores, el procesamiento químico, el tratamiento térmico, la fabricación de células solares y la fabricación de LED.






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