Susceptores epitaxiales recubiertos de SiC

Semiconductorsustratosno se puede colocar directamente sobre la base en equipos MOCVD o CVD durante la deposición epitaxial debido al impacto de múltiples factores críticos, incluida la dirección del flujo de gas (horizontal y vertical), la temperatura, la presión, la fijación del sustrato y la contaminación de partículas. Por esta razón, es necesario colocar los susceptores epitaxiales en el centro de la cámara de reacción en los sistemas MOCVD/CVD para soportar y asegurar los sustratos semiconductores, evitando así la degradación de la calidad del crecimiento epitaxial causada por la vibración o el desplazamiento posicional.

Se utiliza grafito de alta pureza como material de matriz para SemicorexSusceptores epitaxiales recubiertos de SiC, con el recubrimiento de carburo de silicio depositado en su superficie mediante técnicas avanzadas de CVD. Los susceptores epitaxiales recubiertos de SiC Semicorex son componentes indispensables en el proceso de formación de la capa epitaxial. Su función principal es proporcionar un entorno operativo estable y controlable para el crecimiento de capas epitaxiales en sustratos semiconductores, lo que de ese modo puede garantizar la consistencia de la calidad de la superficie de la oblea.

Las características de los susceptores epitaxiales recubiertos de Semicorex SiC.

1. Excelente resistencia a altas temperaturas para soportar condiciones de funcionamiento de 1600 ℃.

2.Alta conductividad térmica, que ofrece una rápida transferencia de calor para mantener una distribución uniforme de la temperatura en los sustratos semiconductores.

3.Fuerte resistencia a la corrosión química para resistir la degradación química y la corrosión, evitando la contaminación del proceso de sustratos y capas epitaxiales.

4.Resistencia superior al choque térmico para evitar la aparición de grietas y delaminación del revestimiento.

5.Planitud excepcional de la superficie, que se ajusta perfectamente a los sustratos y minimiza los huecos y defectos.

6. Mayor vida útil, reduciendo el tiempo y las pérdidas económicas causadas por el reemplazo y mantenimiento de piezas.

Las aplicaciones de los susceptores epitaxiales recubiertos de Semicorex SiC.

Con múltiples ventajas excelentes, los susceptores epitaxiales recubiertos de SiC Semicorex desempeñan un papel fundamental a la hora de facilitar el crecimiento uniforme y controlable de películas delgadas epitaxiales y se aplican ampliamente en el proceso de crecimiento epitaxial de semiconductores.

1.Crecimiento epitaxial de GaN

2.Crecimiento epitaxial de SiC

3.Si crecimiento epitaxial