Portador de obleas epitaxiales GaN-on-SiC

Semicorex es un fabricante independiente líder de grafito recubierto de carburo de silicio, grafito de alta pureza mecanizado con precisión que se centra en las áreas de fabricación de semiconductores de grafito recubierto de carburo de silicio, cerámica de carburo de silicio y MOCVP. Nuestro portador de obleas epitaxiales GaN-on-SiC tiene una buena ventaja de precio y cubre muchos de los mercados europeos y estadounidenses. Esperamos convertirnos en su socio a largo plazo en China.

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Descripción del Producto

Semicorex SiC Coating of GaN-on-SiC Epitaxial Wafers Carrier es un recubrimiento de carburo de silicio (SiC) denso y resistente al desgaste. Tiene propiedades de alta resistencia a la corrosión y al calor, así como una excelente conductividad térmica. Aplicamos SiC en capas finas sobre el grafito mediante el proceso de deposición química de vapor (CVD).
Nuestro portador de obleas epitaxiales GaN-on-SiC está diseñado para lograr el mejor patrón de flujo de gas laminar, lo que garantiza la uniformidad del perfil térmico. Esto ayuda a evitar cualquier contaminación o difusión de impurezas, asegurando un crecimiento epitaxial de alta calidad en el chip de la oblea.
Contáctenos hoy para obtener más información sobre nuestro portador de obleas epitaxiales GaN-on-SiC.

Parámetros del portador de obleas epitaxiales GaN-on-SiC

Especificaciones principales del recubrimiento CVD-SIC
Propiedades de SiC-CVD
Estructura cristalina	Fase Î² de la FCC
Densidad	g/cm³	3.21
Dureza	Dureza Vickers	2500
Tamaño de grano	Î¼m	2~10
Pureza química	%	99.99995
Capacidad calorífica	J·kg-1 ·K-1	640
Temperatura de sublimación	℃	2700
Fuerza flexural	MPa (RT 4 puntos)	415
Módulo de Young	Gpa (curva de 4 puntos, 1300â)	430
Expansión Térmica (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conductividad térmica	(W/mK)	300

Características del portador de obleas epitaxiales GaN-on-SiC

- Evite despegarse y asegure el recubrimiento en toda la superficie
Resistencia a la oxidación a alta temperatura: Estable a altas temperaturas hasta 1600°C
Alta pureza: fabricado por deposición de vapor químico CVD en condiciones de cloración a alta temperatura.
Resistencia a la corrosión: alta dureza, superficie densa y partículas finas.
Resistencia a la corrosión: ácidos, álcalis, sales y reactivos orgánicos.
- Lograr el mejor patrón de flujo de gas laminar
- Garantizar la uniformidad del perfil térmico.
- Evitar cualquier contaminación o difusión de impurezas.