Portador de obleas epitaxiales de GaN-on-SiC

Semicorex es un fabricante líder independiente de grafito recubierto de carburo de silicio, grafito de alta pureza mecanizado con precisión que se centra en las áreas de fabricación de semiconductores de grafito recubierto de carburo de silicio, cerámica de carburo de silicio y MOCVP. Nuestro portador de obleas epitaxiales GaN-on-SiC tiene una buena ventaja de precio y cubre muchos de los mercados europeos y americanos. Esperamos convertirnos en su socio a largo plazo en China.

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Descripción del Producto

El recubrimiento Semicorex SiC del portador de obleas epitaxiales GaN-on-SiC es un recubrimiento de carburo de silicio (SiC) denso y resistente al desgaste. Tiene altas propiedades de resistencia a la corrosión y al calor, así como una excelente conductividad térmica. Aplicamos SiC en capas finas sobre el grafito mediante el proceso de deposición química de vapor (CVD).
Nuestro portador de obleas epitaxiales de GaN-on-SiC está diseñado para lograr el mejor patrón de flujo de gas laminar, asegurando la uniformidad del perfil térmico. Esto ayuda a prevenir cualquier contaminación o difusión de impurezas, asegurando un crecimiento epitaxial de alta calidad en el chip de la oblea.
Contáctenos hoy para obtener más información sobre nuestro portador de obleas epitaxiales de GaN-on-SiC.

Parámetros del portador de obleas epitaxiales de GaN-on-SiC

Especificaciones principales del recubrimiento CVD-SIC
Propiedades de SiC-CVD
Estructura cristalina	Fase β de la FCC
Densidad	gramos/cm³	3.21
Dureza	Dureza Vickers	2500
Tamaño de grano	µm	2~10
Pureza química	%	99.99995
Capacidad calorífica	J kg-1 K-1	640
Temperatura de sublimación	℃	2700
Fuerza flexural	MPa (RT 4 puntos)	415
Módulo de Young	Gpa (curvatura de 4 puntos, 1300 ℃)	430
Expansión Térmica (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conductividad térmica	(W/mK)	300

Características del portador de obleas epitaxiales de GaN-on-SiC

- Evite que se despegue y garantice el recubrimiento en toda la superficie.
Resistencia a la oxidación a altas temperaturas: estable a altas temperaturas de hasta 1600 °C
Alta pureza: elaborado mediante deposición química de vapor CVD en condiciones de cloración a alta temperatura.
Resistencia a la corrosión: alta dureza, superficie densa y partículas finas.
Resistencia a la corrosión: ácidos, álcalis, sal y reactivos orgánicos.
- Lograr el mejor patrón de flujo de gas laminar
- Garantizar la uniformidad del perfil térmico.
- Prevenir cualquier contaminación o difusión de impurezas.

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