Sustrato GaN-sobre-SiC

Los portadores de obleas de sustrato GaN-on-SiC utilizados en las fases de deposición de películas delgadas o en el procesamiento de manipulación de obleas deben soportar altas temperaturas y una limpieza química agresiva. Semicorex suministra un susceptor de sustrato GaN-on-SiC recubierto de SiC de alta pureza que proporciona una resistencia al calor superior, uniformidad térmica uniforme para un espesor y resistencia constantes de la capa Epi, y una resistencia química duradera. El fino recubrimiento de cristal de SiC proporciona una superficie limpia y lisa, fundamental para la manipulación, ya que las obleas prístinas entran en contacto con el susceptor en muchos puntos de toda su área.

En Semicorex, nos enfocamos en brindar productos rentables y de alta calidad a nuestros clientes. Nuestro susceptor de sustrato GaN-on-SiC tiene una ventaja de precio y se exporta a muchos mercados europeos y americanos. Nuestro objetivo es ser su socio a largo plazo, brindando productos de calidad constante y un servicio al cliente excepcional.

Parámetros del susceptor de sustrato GaN-on-SiC

Características del susceptor de sustrato GaN-on-SiC

- Tanto el sustrato de grafito como la capa de carburo de silicio tienen buena densidad y pueden desempeñar un buen papel protector en entornos de trabajo corrosivos y de alta temperatura.

- El susceptor recubierto de carburo de silicio utilizado para el crecimiento de monocristales tiene una superficie muy plana.

- Reducir la diferencia en el coeficiente de expansión térmica entre el sustrato de grafito y la capa de carburo de silicio, mejorar efectivamente la fuerza de unión para evitar grietas y delaminación.

- Tanto el sustrato de grafito como la capa de carburo de silicio tienen una alta conductividad térmica y excelentes propiedades de distribución del calor.

- Alto punto de fusión, resistencia a la oxidación a altas temperaturas, resistencia a la corrosión.