Los susceptores de obleas de grafito Semicorex de 1x2" son componentes portadores de alto rendimiento diseñados especialmente para obleas de 2 pulgadas, que son muy adecuados para el proceso epitaxial de obleas semiconductoras. Elija Semicorex para obtener pureza de material líder en la industria, ingeniería de precisión y confiabilidad inigualable en entornos de crecimiento epitaxial exigentes.
En la fabricación de obleas semiconductoras, es necesario que la capa epitaxial crezca sobre el sustrato de la oblea para la posterior fabricación de dispositivos semiconductores. Dado que el proceso de crecimiento epitaxial es muy sensible a las fluctuaciones de temperatura y la contaminación, la selección de materiales confiablessusceptores de obleason de importancia crítica. Como piezas de soporte indispensables en el proceso epitaxial de obleas, la precisión del mecanizado, la capacidad de gestión térmica y el rendimiento de resistencia a la contaminación son factores cruciales para lograr un crecimiento epitaxial de obleas de alta calidad.
Hechos de grafito de alta pureza y grano ultrafino como matriz con un denso recubrimiento de carburo de silicio mediante procesos especiales, los susceptores de oblea de grafito Semicorex de 1x2" ofrecen las siguientes funciones:
Semicorex 1x2"grafitoLos susceptores de obleas cuentan con mecanizado y tratamiento de precisión, lo que brinda una planitud de superficie y precisión dimensional excepcionales. Esto garantiza que estén firmemente asegurados en una posición adecuada y proporciona una plataforma de soporte plana y estable para el crecimiento epitaxial de la oblea.
Con la excelente conductividad térmica de los materiales de grafito y SiC, los susceptores de oblea de grafito Semicorex de 1x2" proporcionan una distribución de calor rápida y uniforme a través de la sustancia semiconductora. Al minimizar los gradientes de temperatura, los susceptores de oblea de grafito Semicorex de 1x2" pueden evitar eficazmente problemas como la calidad epitaxial desigual y la concentración de tensión.
Cubiertos con una densa capa de carburo de silicio, los susceptores de oblea de grafito Semicorex de 1x2" son eficazmente resistentes a la mayoría de los productos químicos, lo que los hace adecuados para aplicaciones en condiciones operativas altamente corrosivas donde el material está frecuentemente expuesto a gases corrosivos y vapores químicos.
semicorexrevestimiento de carburo de siliciotiene una alta fuerza de unión con la matriz de grafito, lo que puede evitar significativamente el riesgo de contaminación del sustrato debido al desprendimiento del recubrimiento debido a la corrosión y la precipitación de partículas causadas por entornos de alta corrosión.
Aunque las matrices de grafito exhiben una excelente estabilidad térmica y resistencia mecánica, son propensas a la corrosión y pulverización en las condiciones operativas del proceso epitaxial, lo que acorta en gran medida la vida útil de las matrices de grafito sin recubrimiento. Al encapsular completamente las matrices de grafito con recubrimientos densos de SiC, nuestros susceptores de obleas de grafito de 1×2" logran una durabilidad superior y confiable.
Datos del material del recubrimiento Semicorex SiC
|
Propiedades típicas |
Unidades |
Valores |
| Estructura |
/ |
Fase β de la FCC |
| Orientación | Fracción (%) |
111 preferido |
| densidad aparente |
gramos/cm³ |
3.21 |
| Dureza | Dureza Vickers |
2500 |
| Capacidad calorífica | J·kg⁻¹·K⁻¹ |
640 |
| Expansión térmica 100–600 °C (212–1112 °F) |
10⁻⁶K⁻¹ |
4.5 |
| Módulo de Young |
Gpa (curvatura de 4 puntos, 1300°C) |
430 |
| Tamaño de grano |
µm |
2 – 10 |
| Temperatura de sublimación |
°C |
2700 |
| Resistencia a la flexión |
MPa (RT 4 puntos) |
415 |
| Conductividad térmica |
(W/mK) |
300 |
Susceptor de grafito recubierto de SiC para MOCVD
Susceptor MOCVD recubierto de SiC
Susceptor MOCVD para crecimiento epitaxial
Placa de disco en estrella con cubierta MOCVD para epitaxia de oblea
Plataforma satelital de grafito MOCVD recubierta de SiC