Susceptor MOCVD para crecimiento epitaxial

Semicorex es un proveedor y fabricante líder de susceptor MOCVD para crecimiento epitaxial. Nuestro producto se utiliza ampliamente en las industrias de semiconductores, particularmente en el crecimiento de la capa epitaxial en el chip de oblea. Nuestro susceptor está diseñado para usarse como placa central en MOCVD, con un diseño en forma de engranaje o anillo. El producto tiene alta resistencia al calor y a la corrosión, lo que lo hace estable en ambientes extremos.

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Descripción del Producto

Una de las ventajas de nuestro susceptor MOCVD para crecimiento epitaxial es su capacidad para garantizar un recubrimiento en toda la superficie, evitando que se despegue. El producto tiene resistencia a la oxidación a altas temperaturas, lo que garantiza estabilidad a altas temperaturas de hasta 1600°C. La alta pureza de nuestro producto se logra mediante la deposición química de vapor CVD en condiciones de cloración a alta temperatura. La superficie densa con partículas finas garantiza que el producto sea altamente resistente a la corrosión causada por ácidos, álcalis, sales y reactivos orgánicos.
Nuestro susceptor MOCVD para crecimiento epitaxial está diseñado para lograr el mejor patrón de flujo de gas laminar, asegurando la uniformidad del perfil térmico. Esto ayuda a prevenir cualquier contaminación o difusión de impurezas, asegurando un crecimiento epitaxial de alta calidad en el chip de la oblea.
Contáctenos hoy para obtener más información sobre nuestro susceptor MOCVD para crecimiento epitaxial.

Parámetros del susceptor MOCVD para crecimiento epitaxial

Especificaciones principales del recubrimiento CVD-SIC
Propiedades de SiC-CVD
Estructura cristalina	Fase β de la FCC
Densidad	gramos/cm³	3.21
Dureza	Dureza Vickers	2500
Tamaño de grano	µm	2~10
Pureza química	%	99.99995
Capacidad calorífica	J kg-1 K-1	640
Temperatura de sublimación	℃	2700
Fuerza flexural	MPa (RT 4 puntos)	415
Módulo de Young	Gpa (curvatura de 4 puntos, 1300 ℃)	430
Expansión Térmica (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conductividad térmica	(W/mK)	300

Características del susceptor MOCVD para el crecimiento epitaxial

- Evite que se despegue y garantice el recubrimiento en toda la superficie.
Resistencia a la oxidación a altas temperaturas: estable a altas temperaturas de hasta 1600 °C
Alta pureza: elaborado mediante deposición química de vapor CVD en condiciones de cloración a alta temperatura.
Resistencia a la corrosión: alta dureza, superficie densa y partículas finas.
Resistencia a la corrosión: ácidos, álcalis, sal y reactivos orgánicos.
- Lograr el mejor patrón de flujo de gas laminar
- Garantizar la uniformidad del perfil térmico.
- Prevenir cualquier contaminación o difusión de impurezas.

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