Susceptores de SiC Epi-Wafer

No se pueden fabricar semiconductores de banda ancha (WBG), esenciales para la revolución de los vehículos eléctricos (EV) y 5G, sin establecer las propiedades ideales del material mediante el crecimiento epitaxial. Los susceptores Semicorex  SiC Epi-Wafer se han diseñado para usarse como base (térmica/estructural) para la epitaxia de SiC y GaN. la combinación degrafito isostático(excelente conductividad térmica) con carburo de silicio depositado en vapor químico (CVD) (resistencia química extrema) logra un kit de proceso que permite el mayor rendimiento y repetibilidad posibles.

Ingeniería del entorno térmico "perfecto"

Para lograr temperaturas de crecimiento epitaxial adecuadas (más de 1.500 °C) en una atmósfera saturada de gases precursores reactivos y corrosivos, un portador de grafito convencional se degradaría tras la exposición y, por lo tanto, contaminaría la oblea. Sin embargo, los susceptores SiC Epi-Wafer desarrollados por Semicorex han logrado una solución mediante la integración de materiales avanzados para proporcionar al proceso de epitaxia una base estable durante miles de horas de proceso.

1. Uniformidad térmica superior

La función principal de un susceptor es actuar como difusor de calor. Nuestro núcleo de grafito isostático de alta pureza proporciona un campo térmico uniforme en toda la superficie de la oblea. Esto minimiza los "puntos calientes" que causan variaciones en el espesor de la capa epi y la concentración de dopaje. En el mundo de la electrónica de potencia, donde la consistencia del RDS(on) es la reina, nuestros susceptores brindan la precisión térmica necesaria para una uniformidad submicrónica.

2. Encapsulación hermética de SiC CVD

Utilizamos un proceso CVD de última generación para aplicar un recubrimiento de carburo de silicio denso y ultrapuro. Esta capa no es sólo una cobertura; es un sello hermético.

Supresión de partículas: el recubrimiento evita que el sustrato de grafito "espolvoree" o libere impurezas como boro o trazas metálicas en la cámara de reacción.

Inercia química: nuestraRecubrimiento de SiCes resistente al grabado con H2, HCl y amoníaco (NH3), que son comunes en los reactores de epitaxia MOCVD y SiC.

3. Coincidencia de CTE de precisión

Uno de los puntos de falla más comunes en el hardware revestido es la delaminación debido al ciclo térmico. Seleccionamos específicamente grados de grafito con un coeficiente de expansión térmica (CTE) que está perfectamente sincronizado con elRecubrimiento de SiC. Esta "armonía de expansión" permite que los susceptores SiC Epi-Wafer soporten ciclos rápidos de aceleración y desaceleración sin agrietarse ni pelarse, lo que extiende la vida útil del componente hasta en un 300% en comparación con las alternativas estándar de la industria.

Optimizado para plataformas de reactores globales

Nuestro equipo de ingeniería tiene amplia experiencia en el diseño de susceptores para configuraciones de reactores tanto horizontales como verticales. Proporcionamos reemplazos directos y soluciones de ingeniería personalizada para los sistemas OEM líderes de la industria (incluidas las plataformas AIXTRON, Veeco y Tokyo Electron).

Ya sea que esté ejecutando un reactor planetario o una herramienta de una sola oblea, nuestros susceptores están optimizados para:

Dinámica del flujo de gas:Bolsillos mecanizados con precisión para garantizar un flujo laminar a través de la oblea.

Rotación de oblea:Relación peso-fricción optimizada para una rotación estable y de alta velocidad durante el crecimiento.

Manejo automatizado:Bordes reforzados para soportar la tensión mecánica de la transferencia robótica de obleas.