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Sustrato de oblea pulido de doble cara HPSI SiC semiaislante de alta pureza de 4 pulgadas

Semicorex ofrece varios tipos de obleas de SiC 4H y 6H. Somos fabricantes y proveedores de sustratos para obleas desde hace muchos años. Nuestro sustrato de oblea pulido de doble cara HPSI SiC semiaislante de alta pureza de 4 pulgadas tiene una buena ventaja de precio y cubre la mayoría de los mercados europeos y americanos. Esperamos convertirnos en su socio a largo plazo en China.

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Descripción del Producto

Semicorex tiene una línea completa de productos de obleas de carburo de silicio (SiC), que incluye sustratos 4H y 6H con obleas semiaislantes tipo N, tipo P y de alta pureza, que pueden ser con o sin epitaxia.

Presentamos nuestro sustrato de oblea pulido de doble cara HPSI SiC semiaislante de alta pureza de 4 pulgadas de vanguardia, un producto de primera línea diseñado para cumplir con los exigentes requisitos de aplicaciones electrónicas y de semiconductores avanzadas.

El sustrato de oblea pulido de doble cara HPSI SiC semiaislante de alta pureza de 4 pulgadas se utiliza principalmente en comunicaciones 5G, sistemas de radar, cabezales de guía, comunicaciones por satélite, aviones de guerra y otros campos, con las ventajas de mejorar el rango de RF y alcance ultralargo. identificación, antiinterferencias y transferencia de información de alta velocidad y alta capacidad y otras aplicaciones, se considera el sustrato más ideal para fabricar dispositivos de potencia de microondas.

Presupuesto:

● Diámetro: 4″

● Doble pulido

●l Grado: Producción, Investigación, Maniquí

● Oblea HPSI 4H-SiC

● Espesor: 500±25 µm

●l Densidad del microtubo: ≤1 ea/cm²~ ≤10 c/u/cm²

Elementos	Producción	Investigación	Ficticio
Parámetros de cristal
politipo	4H
Orientación de la superficie en el eje	<0001>
Orientación de la superficie fuera del eje	0±0,2°
(0004)FWHM	≤45 segundos de arco	≤60 segundos de arco	≤1OOarcseg
Parámetros eléctricos
Tipo	HPSI
Resistividad	≥1 E9ohm·cm	100% área > 1 E5ohm·cm	70% área > 1 E5ohm·cm
Parámetros mecánicos
Diámetro	99,5 - 100 mm
Espesor	500±25 micras
Orientación plana primaria	[1-100]±5°
Longitud plana primaria	32,5 ± 1,5 mm
Secondary flat position	90° CW desde plano primario ±5°. silicona boca arriba
Longitud plana secundaria	18±1,5 mm
televisión	≤5 micras	≤10 micras	≤20 micras
TVL	≤2 micras(5mm*5mm)	≤5 micras(5mm*5mm)	ESO
Arco	-15 μm ~ 15 μm	-35 μm ~ 35 μm	-45 μm ~ 45 μm
Urdimbre	≤20 micras	≤45 micras	≤50 micras
Rugosidad frontal (Si-face) (AFM)	Ra≤0.2nm (5μm*5μm)
Estructura
Densidad de microtubos	≤1 unidad/cm²	≤5 unidades/cm²	≤10 cada uno/cm²
Densidad de inclusión de carbono	≤1 unidad/cm²	ESO
vacío hexagonal	Ninguno	ESO
Impurezas metálicas	≤5E12átomos/cm²		ESO
Calidad frontal
Frente	Y
Acabado superficial	CMP de cara Si
Partículas	≤60ea/oblea (tamaño≥0,3μm)	ESO
Arañazos	≤2ea/mm. Longitud acumulada ≤Diámetro	Longitud acumulada≤2*Diámetro	ESO
Piel de naranja/huevos/manchas/estrías/grietas/contaminación	Ninguno		ESO
Descantillados/hendiduras/fracturas/placas hexagonales	Ninguno
Áreas politipo	Ninguno	Área acumulada≤20%	Área acumulada≤30%
Marcado láser frontal	Ninguno
Calidad trasera
Acabado trasero	CMP cara C
Arañazos	≤5ea/mm, longitud acumulada≤2*Diámetro	ESO
Defectos posteriores (descantillados/hendiduras en los bordes)	Ninguno
Rugosidad de la espalda	Ra≤0.2nm (5μm*5μm)
Marcado láser trasero	1 mm (desde el borde superior)
Borde
Borde	Chaflán
Embalaje
Embalaje	La bolsa interior se llena con nitrógeno y la bolsa exterior se aspira. Casete multioblea, preparado para epi.
*Notas: "NA" significa sin solicitud. Los artículos no mencionados pueden referirse a SEMI-STD.

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