Placa porta satélite MOCVD

La placa de soporte para satélites MOCVD de Semicorex es un excelente portador diseñado para su uso en la industria de semiconductores. Su alta pureza, excelente resistencia a la corrosión e incluso perfil térmico lo convierten en una excelente opción para quienes buscan un portador que pueda soportar las demandas del proceso de fabricación de semiconductores. Estamos comprometidos a proporcionar a nuestros clientes productos de alta calidad que cumplan con sus requisitos específicos. Contáctenos hoy para obtener más información sobre nuestra placa de soporte satelital MOCVD y cómo podemos ayudarlo con sus necesidades de fabricación de semiconductores.

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Descripción del Producto

La placa de soporte para satélites MOCVD de Semicorex es un soporte de alta calidad diseñado para su uso en la industria de semiconductores. Nuestro producto está recubierto con carburo de silicio de alta pureza sobre grafito, lo que lo hace altamente resistente a la oxidación a altas temperaturas de hasta 1600°C. El proceso de deposición química de vapor CVD utilizado en su fabricación garantiza una alta pureza y una excelente resistencia a la corrosión, lo que lo hace ideal para su uso en entornos de salas blancas.
Las características de nuestra placa porta satélite MOCVD son impresionantes. Su superficie densa y sus partículas finas mejoran su resistencia a la corrosión, haciéndolo resistente a ácidos, álcalis, sales y reactivos orgánicos. Este portador es muy estable, incluso en entornos extremos, lo que lo convierte en una excelente opción para quienes buscan un portador que pueda soportar las demandas de la industria de los semiconductores.

Parámetros de la placa porta satélite MOCVD

Especificaciones principales del recubrimiento CVD-SIC
Propiedades de SiC-CVD
Estructura cristalina	Fase β de la FCC
Densidad	gramos/cm³	3.21
Dureza	Dureza Vickers	2500
Tamaño de grano	µm	2~10
Pureza química	%	99.99995
Capacidad calorífica	J kg-1 K-1	640
Temperatura de sublimación	℃	2700
Fuerza flexural	MPa (RT 4 puntos)	415
Módulo de Young	Gpa (curvatura de 4 puntos, 1300 ℃)	430
Expansión Térmica (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conductividad térmica	(W/mK)	300

Características del susceptor de grafito recubierto de SiC para MOCVD

- Evite que se despegue y garantice el recubrimiento en toda la superficie.
Resistencia a la oxidación a altas temperaturas: estable a altas temperaturas de hasta 1600 °C
Alta pureza: elaborado mediante deposición química de vapor CVD en condiciones de cloración a alta temperatura.
Resistencia a la corrosión: alta dureza, superficie densa y partículas finas.
Resistencia a la corrosión: ácidos, álcalis, sal y reactivos orgánicos.
- Lograr el mejor patrón de flujo de gas laminar
- Garantizar la uniformidad del perfil térmico.
- Prevenir cualquier contaminación o difusión de impurezas.