Susceptor planetario MOCVD para semiconductores

Semicorex es un nombre confiable en la industria de los semiconductores que ofrece susceptores planetarios MOCVD para semiconductores de alta calidad. Nuestro producto está diseñado para satisfacer las necesidades específicas de los fabricantes de semiconductores que buscan un portador que pueda ofrecer un rendimiento, estabilidad y durabilidad excelentes. Contáctenos hoy para obtener más información sobre nuestro producto y cómo podemos ayudarlo con sus necesidades de fabricación de semiconductores.

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Descripción del Producto

Nuestro susceptor planetario MOCVD para semiconductores presenta resistencia a la oxidación a altas temperaturas, lo que garantiza su estabilidad a altas temperaturas de hasta 1600 °C. También es muy puro, elaborado mediante deposición química de vapor CVD en condiciones de cloración a alta temperatura, lo que garantiza la uniformidad y consistencia del producto, un perfil térmico uniforme y un patrón de flujo de gas laminar.
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Parámetros del susceptor planetario MOCVD para semiconductores

Especificaciones principales del recubrimiento CVD-SIC
Propiedades de SiC-CVD
Estructura cristalina	Fase β de la FCC
Densidad	gramos/cm³	3.21
Dureza	Dureza Vickers	2500
Tamaño de grano	µm	2~10
Pureza química	%	99.99995
Capacidad calorífica	J kg-1 K-1	640
Temperatura de sublimación	℃	2700
Fuerza flexural	MPa (RT 4 puntos)	415
Módulo de Young	Gpa (curvatura de 4 puntos, 1300 ℃)	430
Expansión Térmica (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conductividad térmica	(W/mK)	300

Características del susceptor de grafito recubierto de SiC para MOCVD

- Evite que se despegue y garantice el recubrimiento en toda la superficie.
Resistencia a la oxidación a altas temperaturas: estable a altas temperaturas de hasta 1600 °C
Alta pureza: elaborado mediante deposición química de vapor CVD en condiciones de cloración a alta temperatura.
Resistencia a la corrosión: alta dureza, superficie densa y partículas finas.
Resistencia a la corrosión: ácidos, álcalis, sal y reactivos orgánicos.
- Lograr el mejor patrón de flujo de gas laminar
- Garantizar la uniformidad del perfil térmico.
- Prevenir cualquier contaminación o difusión de impurezas.

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