Portador de obleas de grabado

El portador de obleas de grabado semicorex es una plataforma de soporte de sustrato de alto rendimiento diseñada para procesos de fabricación de semiconductores, específicamente para aplicaciones de grabado de obleas. Diseñado con una base de grafito de alta pureza y recubierto con carburo de silicio de depósito de vapor químico (CVD) (SIC), este portador de obleas proporciona resistencia química excepcional, estabilidad térmica y durabilidad mecánica, asegurando un rendimiento óptimo en entornos de grabado de alta precisión.

El portador de obleas de grabado está recubierto con una capa SIC CVD uniforme, que mejora significativamente su resistencia química contra el plasma agresivo y los gases corrosivos utilizados en el proceso de grabado. CVD es la principal tecnología para preparar el recubrimiento SIC en la superficie del sustrato en la actualidad. El proceso principal es que las materias primas reactivas de fase gaseosa experimentan una serie de reacciones físicas y químicas en la superficie del sustrato, y finalmente se depositan en la superficie del sustrato para preparar el recubrimiento SIC. El recubrimiento SIC preparado por la tecnología CVD está estrechamente unida a la superficie del sustrato, lo que puede mejorar de manera efectiva la resistencia a la oxidación y la resistencia a la ablación del material del sustrato, pero el tiempo de deposición de este método es largo, y el gas de reacción contiene ciertos gases tóxicos.

Recubrimiento de carburo de silicio CVDLas piezas se utilizan ampliamente en equipos de grabado, equipos MOCVD, equipos epitaxiales de SI y equipos epitaxiales SIC, equipos de procesamiento térmico rápido y otros campos. En general, el segmento de mercado más grande de piezas de recubrimiento de carburo de silicio CVD es el equipo de grabado y las piezas de equipos epitaxiales. Debido a la baja reactividad y conductividad del recubrimiento de carburo de silicio CVD a los gases de grabado que contienen cloro y que contienen flúor, se convierte en un material ideal para enfocar anillos y otras partes del equipo de grabado en plasma.Piezas de SIC CVDen el equipo de grabado incluyenanillos de enfoque, cabezales de ducha de gas, bandejas,anillos de borde, etc. Tome el anillo de enfoque como ejemplo. El anillo de enfoque es un componente importante colocado fuera de la oblea y en contacto directo con la oblea. El voltaje se aplica al anillo para enfocar el plasma que pasa a través del anillo, enfocando así el plasma en la oblea para mejorar la uniformidad del procesamiento. Los anillos de enfoque tradicionales están hechos de silicio o cuarzo. Con el avance de la miniaturización integrada del circuito, la demanda y la importancia de los procesos de grabado en la fabricación de circuitos integrados están aumentando, y la energía y la energía del plasma de grabado continúan aumentando.

El recubrimiento SIC ofrece una resistencia superior a las químicas de grabado en plasma basado en fluorino (F₂) y a base de cloro (CL₂), evitando la degradación y el mantenimiento de la integridad estructural sobre el uso prolongado. Esta robustez química garantiza un rendimiento constante y reduce los riesgos de contaminación durante el procesamiento de la oblea. El portador de obleas se puede adaptar a varios tamaños de obleas (por ejemplo, 200 mm, 300 mm) y requisitos específicos del sistema de grabado. Los diseños de tragamonedas personalizados y los patrones de agujeros están disponibles para optimizar el posicionamiento de las obleas, el control del flujo de gas y la eficiencia del proceso.

Aplicaciones y beneficios

El portador de obleas de grabado se usa principalmente en la fabricación de semiconductores para procesos de grabado en seco, incluido el grabado en plasma (PE), el grabado de iones reactivos (RIE) y el grabado de iones reactivos profundos (DRIE). Se adopta ampliamente en la producción de circuitos integrados (ICS), dispositivos MEMS, electrónica de potencia y obleas de semiconductores compuestos. Su sólido recubrimiento SIC garantiza resultados de grabado consistentes al prevenir la degradación del material. La combinación de grafito y SIC proporciona durabilidad a largo plazo, reduciendo los costos de mantenimiento y reemplazo. La superficie SIC lisa y densa minimiza la generación de partículas, asegurando un alto rendimiento de la oblea y un rendimiento superior del dispositivo. La resistencia excepcional a los entornos de grabado severos reduce la necesidad de reemplazos frecuentes, mejorando la eficiencia de fabricación.