Portador de grabado ICP recubierto de SiC

Los portadores de obleas utilizados en fases de deposición de películas delgadas, como epitaxia o MOCVD, o procesos de manipulación de obleas, como el grabado, deben soportar altas temperaturas y una limpieza química agresiva. Semicorex suministra un portador de grabado ICP recubierto de SiC de alta pureza que proporciona una resistencia al calor superior, uniformidad térmica uniforme para un espesor y resistencia consistentes de la capa Epi y una resistencia química duradera. El fino recubrimiento de cristal de SiC proporciona una superficie limpia y lisa, fundamental para la manipulación, ya que las obleas prístinas entran en contacto con el susceptor en muchos puntos de toda su área.

Nuestro portador de grabado ICP recubierto de SiC está diseñado para lograr el mejor patrón de flujo de gas laminar, asegurando la uniformidad del perfil térmico. Esto ayuda a prevenir cualquier contaminación o difusión de impurezas, asegurando un crecimiento epitaxial de alta calidad en el chip de la oblea.

Contáctenos hoy para obtener más información sobre nuestro portador de grabado ICP recubierto de SiC.

Parámetros del portador de grabado ICP recubierto de SiC

Características del portador de grabado ICP recubierto de SiC de alta pureza

- Evite que se despegue y garantice el recubrimiento en toda la superficie.

Resistencia a la oxidación a altas temperaturas: estable a altas temperaturas de hasta 1600 °C

Alta pureza: elaborado mediante deposición química de vapor CVD en condiciones de cloración a alta temperatura.

Resistencia a la corrosión: alta dureza, superficie densa y partículas finas.

Resistencia a la corrosión: ácidos, álcalis, sal y reactivos orgánicos.

- Lograr el mejor patrón de flujo de gas laminar

- Garantizar la uniformidad del perfil térmico.

- Prevenir cualquier contaminación o difusión de impurezas.