Portador de grabado ICP recubierto de SiC

Los portadores de obleas que se utilizan en las fases de deposición de películas delgadas, como epitaxia o MOCVD, o el procesamiento de manipulación de obleas, como el grabado, deben soportar altas temperaturas y una limpieza química intensa. Semicorex suministra soporte de grabado ICP recubierto de SiC de alta pureza que proporciona una resistencia al calor superior, incluso uniformidad térmica para un grosor y una resistencia de la capa epi uniforme, y una resistencia química duradera. El revestimiento de cristal de SiC fino proporciona una superficie limpia y lisa, fundamental para la manipulación, ya que las obleas prístinas entran en contacto con el susceptor en muchos puntos de toda su área.

Nuestro portador de grabado ICP recubierto de SiC está diseñado para lograr el mejor patrón de flujo de gas laminar, asegurando la uniformidad del perfil térmico. Esto ayuda a evitar cualquier contaminación o difusión de impurezas, lo que garantiza un crecimiento epitaxial de alta calidad en el chip de la oblea.

Contáctenos hoy para obtener más información sobre nuestro soporte de grabado ICP recubierto de SiC.

Parámetros del portador de grabado ICP recubierto de SiC

Características del soporte de grabado ICP recubierto de SiC de alta pureza

- Evite despegarse y asegure el recubrimiento en toda la superficie

Resistencia a la oxidación a alta temperatura: Estable a altas temperaturas hasta 1600°C

Alta pureza: fabricado por deposición de vapor químico CVD en condiciones de cloración a alta temperatura.

Resistencia a la corrosión: alta dureza, superficie densa y partículas finas.

Resistencia a la corrosión: ácidos, álcalis, sales y reactivos orgánicos.

- Lograr el mejor patrón de flujo de gas laminar

- Garantizar la uniformidad del perfil térmico.

- Evitar cualquier contaminación o difusión de impurezas.