Portador de grabado ICP de carburo de silicio

¿Busca un soporte de obleas fiable para procesos de grabado? No busque más, el portador de grabado ICP de carburo de silicio de Semicorex. Nuestro producto está diseñado para soportar altas temperaturas y limpieza química agresiva, lo que garantiza durabilidad y longevidad. Con una superficie limpia y lisa, nuestro transportador es perfecto para manipular obleas impecables.

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Descripción del Producto

Garantice patrones de flujo de gas laminar óptimos y uniformidad del perfil térmico con el portador de grabado ICP de carburo de silicio de Semicorex. Nuestro producto está diseñado para lograr los mejores resultados posibles en los procesos de deposición de películas delgadas y manipulación de obleas. Con una resistencia superior al calor y a la corrosión, nuestro portador es la elección perfecta para aplicaciones exigentes.

En Semicorex, nos enfocamos en brindar productos rentables y de alta calidad a nuestros clientes. Nuestro portador de grabado ICP de carburo de silicio tiene una ventaja de precio y se exporta a muchos mercados europeos y americanos. Nuestro objetivo es ser su socio a largo plazo, brindando productos de calidad constante y un servicio al cliente excepcional.

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Parámetros del portador de grabado ICP de carburo de silicio

Especificaciones principales del recubrimiento CVD-SIC
Propiedades de SiC-CVD
Estructura cristalina	Fase β de la FCC
Densidad	gramos/cm³	3.21
Dureza	Dureza Vickers	2500
Tamaño de grano	µm	2~10
Pureza química	%	99.99995
Capacidad calorífica	J kg-1 K-1	640
Temperatura de sublimación	℃	2700
Fuerza flexural	MPa (RT 4 puntos)	415
Módulo de Young	Gpa (curvatura de 4 puntos, 1300 ℃)	430
Expansión Térmica (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conductividad térmica	(W/mK)	300

Características del portador de grabado ICP de carburo de silicio

- Evite que se despegue y garantice el recubrimiento en toda la superficie.

Resistencia a la oxidación a altas temperaturas: estable a altas temperaturas de hasta 1600 °C

Alta pureza: elaborado mediante deposición química de vapor CVD en condiciones de cloración a alta temperatura.

Resistencia a la corrosión: alta dureza, superficie densa y partículas finas.

Resistencia a la corrosión: ácidos, álcalis, sal y reactivos orgánicos.

- Lograr el mejor patrón de flujo de gas laminar

- Garantizar la uniformidad del perfil térmico.

- Prevenir cualquier contaminación o difusión de impurezas.

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