Placa de SiC para proceso de grabado ICP

La placa de SiC de Semicorex para el proceso de grabado ICP es la solución perfecta para requisitos de procesamiento de productos químicos agresivos y de alta temperatura en la deposición de películas delgadas y el manejo de obleas. Nuestro producto cuenta con una resistencia al calor superior y una uniformidad térmica uniforme, lo que garantiza un espesor y una resistencia constantes de la capa de epi. Con una superficie limpia y lisa, nuestro recubrimiento de cristal de SiC de alta pureza proporciona un manejo óptimo para obleas impecables.

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Descripción del Producto

Logre procesos de epitaxia y MOCVD de la más alta calidad con la placa SiC de Semicorex para el proceso de grabado ICP. Nuestro producto está diseñado específicamente para estos procesos y ofrece una resistencia superior al calor y la corrosión. Nuestro fino revestimiento de cristal de SiC proporciona una superficie limpia y lisa, lo que permite un manejo óptimo de las obleas.

Nuestra placa de SiC para el proceso de grabado ICP está diseñada para lograr el mejor patrón de flujo de gas laminar, asegurando la uniformidad del perfil térmico. Esto ayuda a prevenir cualquier contaminación o difusión de impurezas, asegurando un crecimiento epitaxial de alta calidad en el chip de la oblea.

Contáctenos hoy para obtener más información sobre nuestra placa de SiC para el proceso de grabado ICP.

Parámetros de la placa de SiC para el proceso de grabado ICP

Especificaciones principales del recubrimiento CVD-SIC
Propiedades de SiC-CVD
Estructura cristalina	Fase β de la FCC
Densidad	gramos/cm³	3.21
Dureza	Dureza Vickers	2500
Tamaño de grano	µm	2~10
Pureza química	%	99.99995
Capacidad calorífica	J kg-1 K-1	640
Temperatura de sublimación	℃	2700
Fuerza flexural	MPa (RT 4 puntos)	415
Módulo de Young	Gpa (curvatura de 4 puntos, 1300 ℃)	430
Expansión Térmica (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conductividad térmica	(W/mK)	300