La tercera generación de materiales semiconductores de banda prohibida amplia, incluidos el nitruro de galio (GaN), el carburo de silicio (SiC) y el nitruro de aluminio (AlN), exhibe excelentes propiedades eléctricas, térmicas y acústico-ópticas. Estos materiales abordan las limitaciones de la prime......
Leer másPara satisfacer las demandas de alto rendimiento y bajo consumo de energía en el ámbito de la tecnología de semiconductores moderna, el SiGe (silicio germanio) se ha convertido en el material compuesto preferido en la fabricación de chips semiconductores debido a sus propiedades físicas y eléctricas......
Leer másComo unidad de longitud, Angstrom (Å) es omnipresente en la fabricación de circuitos integrados. Desde el control preciso del espesor del material hasta la miniaturización y optimización del tamaño del dispositivo, la comprensión y aplicación de la escala Angstrom es fundamental para garantizar el d......
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