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Noticias de la Industria

¿Qué desafíos implica la fabricación de SiC?

En el panorama de los materiales semiconductores de banda prohibida ancha, el carburo de silicio (SiC) se ha convertido en un material de gran prestigio, sobresaliendo particularmente en el dominio de conversión de alta potencia.

¿Qué es la tecnología de implantación de iones semiconductores?

En la fabricación de semiconductores, la implantación de iones implica el uso de aceleradores de alta energía para inyectar átomos de impurezas específicas, como arsénico o boro, en un sustrato de silicio.

Recocido

El recocido después de la implantación de iones es un paso clave en la fabricación de dispositivos semiconductores, que afecta el rendimiento y la confiabilidad del dispositivo.

Crecimiento de cristales de AlN por método PVT.

La tercera generación de materiales semiconductores de banda prohibida amplia, incluidos el nitruro de galio (GaN), el carburo de silicio (SiC) y el nitruro de aluminio (AlN), exhibe excelentes propiedades eléctricas, térmicas y acústico-ópticas. Estos materiales abordan las limitaciones de la prime......

Tecnología de grabado selectivo SiGe y Si

Un paso crítico en la fabricación de GAAFET de tipo n implica el grabado de alta selectividad de pilas de SiGe:Si antes de la deposición de espaciadores internos, generando nanohojas de silicio y canales de liberación.

SiGe en la fabricación de chips: un informe de noticias profesional

Para satisfacer las demandas de alto rendimiento y bajo consumo de energía en el ámbito de la tecnología de semiconductores moderna, el SiGe (silicio germanio) se ha convertido en el material compuesto preferido en la fabricación de chips semiconductores debido a sus propiedades físicas y eléctricas......

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