La epitaxia de silicio es un proceso de fabricación primario de circuitos integrados. Permite fabricar dispositivos de CI en capas epitaxiales ligeramente dopadas con capas enterradas fuertemente dopadas, al mismo tiempo que se forman uniones PN crecidas, resolviendo así el problema de aislamiento d......
Leer másEl grabado en seco es una tecnología principal en los procesos de fabricación de sistemas microelectromecánicos. El rendimiento del proceso de grabado en seco ejerce una influencia directa sobre la precisión estructural y el rendimiento operativo de los dispositivos semiconductores. Para controlar c......
Leer másEl grabado en seco suele ser un proceso que combina acciones físicas y químicas, siendo el bombardeo de iones una técnica de grabado físico crucial. Durante el grabado, el ángulo de incidencia y la distribución de energía de los iones pueden ser desiguales.
Leer másLa guía deslizante aerostática de carburo de silicio es un sistema de guía avanzado que combina las propiedades del material del carburo de silicio y la tecnología aerostática. Como solución óptima para sistemas de movimiento de alta precisión, alta confiabilidad y largo plazo, la guía deslizante ae......
Leer másEl método principal para preparar monocristales de carburo de silicio es el método de transporte físico de vapor (PVT). Este método consta principalmente de una cavidad de tubo de cuarzo, un elemento calefactor (bobina de inducción o calentador de grafito), material aislante de fieltro de carbono y ......
Leer másSOI, abreviatura de Silicon-On-Insulator, es un proceso de fabricación de semiconductores basado en materiales de sustrato especiales. Desde su industrialización en la década de 1980, esta tecnología se ha convertido en una rama importante de los procesos avanzados de fabricación de semiconductores......
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