Los parámetros básicos del grabado en seco

El grabado en seco es una tecnología principal en los procesos de fabricación de sistemas microelectromecánicos. El rendimiento del proceso de grabado en seco ejerce una influencia directa sobre la precisión estructural y el rendimiento operativo de los dispositivos semiconductores. Para controlar con precisión el proceso de grabado, se debe prestar mucha atención a los siguientes parámetros de evaluación básicos.

1.Etch Rete

La relación de aspecto, como su nombre indica, es la relación entre la profundidad del grabado y el ancho de la apertura. Las estructuras de relación de aspecto son un requisito fundamental para los dispositivos 3D en MEMS y deben optimizarse mediante la relación de gas y el control de potencia para evitar la degradación de la velocidad inferior.

2.Selectividad

La selectividad de sustrato y la selectividad de máscara son los dos tipos de selectividad de grabado en seco. Idealmente, se debería elegir el gas de grabado con alta selectividad de máscara y baja selectividad de sustrato, pero en realidad, la elección debe optimizarse considerando las propiedades del material.

3.Uniformidad

La uniformidad dentro de la oblea es la consistencia de la velocidad en diferentes ubicaciones dentro de la misma oblea, lo que genera desviaciones dimensionales en los dispositivos semiconductores. Mientras que la uniformidad de oblea a oblea se refiere a la consistencia de la velocidad entre diferentes obleas, lo que puede provocar fluctuaciones en la precisión de un lote a otro.

4.Dimensión crítica

La dimensión crítica se refiere a los parámetros geométricos de las microestructuras como el ancho de la línea, el ancho de la zanja y el diámetro del agujero.

5.Relación de aspecto

La relación de aspecto, como su nombre indica, es la relación entre la profundidad del grabado y el ancho de la apertura. Las estructuras de relación de aspecto son un requisito fundamental para los dispositivos 3D en MEMS y deben optimizarse mediante la relación de gas y el control de potencia para evitar la degradación de la velocidad inferior.

6.Daño por grabado

Los daños causados ​​por el grabado, como el grabado excesivo, el corte insuficiente y el grabado lateral, pueden reducir la precisión dimensional (p. ej., desviación del espaciado de los electrodos, estrechamiento de las vigas en voladizo).

7.Efecto de carga

El efecto de carga se refiere al fenómeno de que la tasa de grabado cambia de forma no lineal con variables como el área y el ancho de línea del patrón grabado. En otras palabras, diferentes áreas grabadas o anchos de línea darán lugar a diferencias en velocidad o morfología.

Semicorex se especializa enRecubierto de SiCyrecubierto de TaCSoluciones de grafito aplicadas en procesos de grabado en la fabricación de semiconductores, si tiene alguna consulta o necesita detalles adicionales, no dude en ponerse en contacto con nosotros.

Teléfono de contacto: +86-13567891907

Correo electrónico: sales@semicorex.com