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Ventajas del recubrimiento de TAC en el crecimiento de un solo cristal de SIC

Actualmente, el carburo de silicio domina la tercera generación de semiconductores. En la estructura de costos de los dispositivos de carburo de silicio, los sustratos representan el 47%y la epitaxia contribuye al 23%. Juntos, estos dos componentes representan aproximadamente el 70% del costo genera......

Aplicaciones del carburo de silicio

Entre los componentes centrales de los vehículos eléctricos, los módulos de potencia automotrices, que utilizan principalmente tecnología IGBT, desempeñan un papel crucial. Estos módulos no sólo determinan el rendimiento clave del sistema de accionamiento eléctrico, sino que también representan más ......

Las perspectivas de aplicación de los sustratos de carburo de silicio de 12 pulgadas

El carburo de silicio (SiC), como material semiconductor de banda prohibida amplia, ofrece ventajas incomparables en aplicaciones de alta potencia, alta temperatura y alta frecuencia.

método czochralski

Las obleas se cortan a partir de varillas de cristal, que se producen a partir de materiales intrínsecos policristalinos y puros sin dopar. El proceso de transformar material policristalino en monocristales mediante fusión y recristalización se conoce como crecimiento cristalino. Actualmente, se emp......

Fabricación de obleas

Las obleas son materias primas esenciales para circuitos integrados, dispositivos de potencia y dispositivos semiconductores discretos. Más del 90% de los circuitos integrados se fabrican con obleas de alta pureza y calidad. La calidad y la capacidad de suministro de estas obleas dentro de la indust......

¿Qué desafíos implica la fabricación de SiC?

En el panorama de los materiales semiconductores de banda prohibida ancha, el carburo de silicio (SiC) se ha convertido en un material de gran prestigio, sobresaliendo particularmente en el dominio de conversión de alta potencia.

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