Como representante de los materiales semiconductores de tercera generación, el carburo de silicio (SiC) cuenta con una amplia banda prohibida, alta conductividad térmica, alto campo eléctrico de ruptura y alta movilidad de electrones, lo que lo convierte en un material ideal para dispositivos de alt......
Leer másEl proceso de oxidación se refiere al proceso de proporcionar oxidantes (como oxígeno, vapor de agua) y energía térmica a las obleas de silicio, provocando una reacción química entre el silicio y los oxidantes para formar una película protectora de dióxido de silicio (SiO₂).
Leer másLa unión de obleas es una tecnología de vital importancia en la fabricación de semiconductores. Utiliza métodos físicos o químicos para unir dos obleas suaves y limpias para lograr funciones específicas o ayudar en el proceso de fabricación de semiconductores. Es una tecnología para promover el ......
Leer másEl carburo de silicio recristalizado es una cerámica de alto rendimiento formada combinando partículas de SiC a través de un mecanismo de evaporación-condensación para formar un fuerte cuerpo sinterizado en fase sólida. Su característica más notable es que no se añaden auxiliares de sinterización y ......
Leer másEn la fabricación de chips, la fotolitografía y el grabado son dos pasos estrechamente relacionados. La fotolitografía precede al grabado, donde se desarrolla el patrón del circuito en la oblea utilizando fotorresistente. Luego, el grabado elimina las capas de película no cubiertas por el fotoprotec......
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