El dopaje implica la introducción de una dosis de impurezas en materiales semiconductores para alterar sus propiedades eléctricas. La difusión y la implantación de iones son dos métodos de dopaje. El dopaje de impureza temprana se realizó principalmente a través de la difusión de alta temperatura.
Leer másEl horno de crecimiento cristalino es el equipo central para el crecimiento de cristales de carburo de silicio. Es similar al horno tradicional de crecimiento cristalino cristalino de grado de silicio. La estructura del horno no es muy complicada. Se compone principalmente del cuerpo del horno, el s......
Leer másDetrás de cada proceso de alta temperatura en la fabricación de obleas se encuentra un jugador silencioso pero crucial: el barco de obleas. Como el portador central que contacta directamente con la oblea de silicio durante el procesamiento de la oblea, su material, estabilidad y limpieza están direc......
Leer másEl sustrato cerámico de nitruro de silicio es un sustrato cerámico de alto rendimiento hecho de nitruro de silicio (Si₃n₄) como material central. Sus componentes principales son los elementos de silicio (Si) y nitrógeno (N), que están unidos químicamente para formar Si₃n₄.
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