> Noticias

Noticias

Progreso de la investigación de recubrimientos TaC en superficies de materiales a base de carbono

Los materiales a base de carbono, como el grafito, las fibras de carbono y los compuestos de carbono/carbono (C/C), son conocidos por su alta resistencia específica, su alto módulo específico y sus excelentes propiedades térmicas, lo que los hace adecuados para una amplia gama de aplicaciones de alt......

¿Qué aplicaciones tiene el sustrato de nitruro de galio (GaN)?

El nitruro de galio (GaN) es un material importante en la tecnología de semiconductores, conocido por sus excepcionales propiedades electrónicas y ópticas. GaN, como semiconductor de banda prohibida amplia, tiene una energía de banda prohibida de aproximadamente 3,4 eV, lo que lo hace ideal para apl......

Una revisión de nueve técnicas de sinterización para cerámicas de carburo de silicio

El carburo de silicio (SiC), una cerámica estructural destacada, es reconocida por sus propiedades excepcionales, que incluyen resistencia a altas temperaturas, dureza, módulo elástico, resistencia al desgaste, conductividad térmica y resistencia a la corrosión. Estos atributos lo hacen adecuado par......

Desafíos técnicos en los hornos de crecimiento de cristales de carburo de silicio

Los hornos de crecimiento de cristales de carburo de silicio (SiC) son la piedra angular de la producción de obleas de SiC. Si bien comparten similitudes con los hornos tradicionales de crecimiento de cristales de silicio, los hornos de SiC enfrentan desafíos únicos debido a las condiciones extremas......

Tecnología de purificación de grafito en semiconductores de SiC.

El grafito es vital en la producción de semiconductores de carburo de silicio (SiC), conocidos por sus excepcionales propiedades térmicas y eléctricas. Esto hace que el SiC sea ideal para aplicaciones de alta potencia, alta temperatura y alta frecuencia. En la fabricación de semiconductores de SiC, ......

Método de crecimiento de cristales de GaN

Al producir sustratos monocristalinos de GaN de gran tamaño, HVPE es actualmente la mejor opción para la comercialización. Sin embargo, la concentración de portador posterior del GaN crecido no se puede controlar con precisión.

<...5 6 7 8 9...30 >