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Proceso de crecimiento de película delgada.

Las películas delgadas comunes se dividen principalmente en tres categorías: películas delgadas de semiconductores, películas delgadas dieléctricas y películas delgadas de metal/compuestos metálicos.

Heteroepitaxia de 3C-SiC: descripción general

El desarrollo del 3C-SiC, un importante politipo de carburo de silicio, refleja el avance continuo de la ciencia de los materiales semiconductores. En la década de 1980, Nishino et al. logró por primera vez una película de 3C-SiC de 4 μm de espesor sobre un sustrato de silicio mediante deposición qu......

SiC grueso CVD de alta pureza: conocimientos sobre procesos para el crecimiento de materiales

Las capas gruesas de carburo de silicio (SiC) de alta pureza, que normalmente superan 1 mm, son componentes críticos en diversas aplicaciones de alto valor, incluida la fabricación de semiconductores y las tecnologías aeroespaciales. Este artículo profundiza en el proceso de deposición química de va......

Silicio monocristalino versus silicio policristalino

El silicio monocristalino y el silicio policristalino tienen cada uno sus propias ventajas únicas y escenarios aplicables. El silicio monocristalino es adecuado para productos electrónicos y microelectrónicos de alto rendimiento debido a sus excelentes propiedades eléctricas y mecánicas. El silicio ......

Sustrato y Epitaxia

En el proceso de preparación de la oblea, hay dos vínculos principales: uno es la preparación del sustrato y el otro es la implementación del proceso epitaxial. El sustrato, una oblea cuidadosamente hecha de material monocristalino semiconductor, se puede colocar directamente en el proceso de fabric......

Comprensión de la deposición química de vapor (CVD): una descripción general completa

La deposición química de vapor (CVD) es una técnica versátil de deposición de películas delgadas ampliamente empleada en la industria de semiconductores para fabricar películas delgadas conformadas de alta calidad sobre diversos sustratos. Este proceso implica reacciones químicas de precursores gase......

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