Почему CO2 вводится в процессе раскроя пластин

El pulido mecánico químico (CMP), que combina la corrosión química y el pulido mecánico para eliminar imperfecciones de la superficie, es el proceso semiconductor importante para lograr la planarización general de la superficie.obleasuperficie. CMP produce dos defectos superficiales, abombamiento y erosión, que impactan significativamente la planitud y el rendimiento eléctrico de las estructuras de interconexión.

Dishing significa el pulido excesivo de materiales más blandos (como el cobre) durante el proceso CMP, lo que da como resultado depresiones centrales localizadas en forma de disco. Este fenómeno, común en líneas de metal anchas o áreas de metal grandes, se debe principalmente a inconsistencias en la dureza del material y a una distribución desigual de la presión mecánica. El plato se caracteriza principalmente por una depresión en el centro de una única y ancha línea metálica, y la profundidad de la depresión generalmente aumenta con el ancho de la línea.

La erosión ocurre en áreas con patrones densos (como conjuntos de cables metálicos de alta densidad). Debido a las diferencias en la fricción mecánica y las tasas de eliminación de material, dichas áreas exhiben una altura total más baja en comparación con las áreas dispersas circundantes. La erosión se manifiesta como una altura total reducida de los patrones densos, intensificándose la gravedad de la erosión a medida que aumenta la densidad del patrón.

El rendimiento de los dispositivos semiconductores se ve afectado negativamente por ambos defectos de varias maneras. Pueden provocar un aumento de la resistencia de interconexión, lo que provocará un retraso de la señal y una disminución del rendimiento del circuito. Además, el abombamiento y la erosión también pueden provocar un espesor dieléctrico desigual de las capas intermedias, alterar la consistencia del rendimiento eléctrico del dispositivo y alterar las características de ruptura de la capa dieléctrica intermetálica. En procesos posteriores, también pueden generar desafíos en la alineación de la litografía, una cobertura deficiente de la película delgada e incluso residuos metálicos, lo que afecta aún más el rendimiento.

Para suprimir eficazmente esos defectos, el rendimiento del proceso CMP y el rendimiento de las virutas se pueden mejorar mediante la integración de la optimización del diseño, la selección de consumibles y el control de los parámetros del proceso. Se pueden introducir patrones metálicos ficticios para mejorar la uniformidad de la distribución de la densidad del metal durante la fase de diseño del cableado. La elección de la almohadilla de pulido puede reducir los defectos. Por ejemplo, la almohadilla más rígida tiene menos deformación y puede ayudar a reducir el desplazamiento. Es más, la formulación y los parámetros de la suspensión también son críticos para suprimir los defectos. Una lechada con un alto índice de selectividad puede mejorar la erosión, pero aumentará la formación de forma cóncava. Reducir el ratio de selección tiene el efecto contrario.

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