¿Qué son los anillos en el grabado?

En la fabricación de chips, la fotolitografía y el grabado son dos pasos estrechamente relacionados. La fotolitografía precede al grabado, donde se desarrolla el patrón del circuito en la oblea utilizando fotorresistente. Luego, el grabado elimina las capas de película no cubiertas por el fotoprotector, completando la transferencia del patrón de la máscara a la oblea y preparándolo para pasos posteriores como la implantación de iones.

Normalmente ubicado fuera del electrodo, su función principal es bloquear el desbordamiento del plasma. Dependiendo de la estructura, también puede funcionar como parte del electrodo. Los materiales comunes incluyen CVD SiC o silicio monocristalino.

El grabado en seco, también conocido como grabado por plasma, es el método dominante en el grabado de semiconductores. Los grabadores de plasma se clasifican ampliamente en dos categorías según sus tecnologías de control y generación de plasma: grabado con plasma acoplado capacitivamente (CCP) y grabado con plasma acoplado inductivamente (ICP). Los grabadores CCP se utilizan principalmente para grabar materiales dieléctricos, mientras que los grabadores ICP se utilizan principalmente para grabar silicio y metales, y también se conocen como grabadores de conductores. Los grabadores dieléctricos apuntan a materiales dieléctricos como óxido de silicio, nitruro de silicio y dióxido de hafnio, mientras que los grabadores de conductores apuntan a materiales de silicio (silicio monocristalino, silicio policristalino y siliciuro, etc.) y materiales metálicos (aluminio, tungsteno, etc.).

En el proceso de grabado utilizaremos principalmente dos tipos de anillos: anillos de enfoque y anillos de escudo.

Anillo de enfoque

Debido al efecto de borde del plasma, la densidad es mayor en el centro y menor en los bordes. El anillo de enfoque genera, gracias a su forma anular y a las propiedades del material CVD SiC, un campo eléctrico específico. Este campo guía y confina las partículas cargadas (iones y electrones) en el plasma a la superficie de la oblea, particularmente en el borde. Esto efectivamente aumenta la densidad del plasma en el borde, acercándolo a la del centro. Esto mejora significativamente la uniformidad del grabado en toda la oblea, reduce el daño en los bordes y aumenta el rendimiento.

Anillo de escudo

Normalmente ubicado fuera del electrodo, su función principal es bloquear el desbordamiento del plasma. Dependiendo de la estructura, también puede funcionar como parte del electrodo. Los materiales comunes incluyen CVD SiC o silicio monocristalino.

Semicorex ofrece alta calidadCVD SiCySilicioAnillos de grabado según las necesidades del cliente. Si tiene alguna consulta o necesita detalles adicionales, no dude en ponerse en contacto con nosotros.

Teléfono de contacto # +86-13567891907

Correo electrónico: sales@semicorex.com