Cabezales de ducha en grabado

Los cabezales de ducha de carburo de silicio (SiC) son componentes clave en los equipos de fabricación de semiconductores y desempeñan un papel crucial en procesos avanzados como la deposición química de vapor (CVD) y la deposición de capas atómicas (ALD).

La función principal de unrociador de ducha de sices distribuir uniformemente los gases reactivos a través de la superficie de la oblea, asegurando capas depositadas uniformes y consistentes. En los procesos CVD y ALD, la distribución uniforme de los gases reactivos es crucial para lograr películas delgadas de alta calidad. La estructura única y las propiedades del material de los cabezales de ducha de SiC permiten una distribución eficiente del gas y un flujo de gas uniforme, cumpliendo con los estrictos requisitos de calidad y rendimiento de la película en la fabricación de semiconductores.

Durante el proceso de reacción de la oblea, la superficie del cabezal de ducha se cubre densamente con microporos (diámetro de poro 0,2-6 mm). A través de una estructura de poros y una ruta de gas diseñadas con precisión, los gases de proceso especializados pasan a través de miles de pequeños orificios en la placa de distribución de gas y se depositan uniformemente en la superficie de la oblea. Esto asegura capas de película altamente uniformes y consistentes en diferentes regiones de la oblea. Por lo tanto, además de los requisitos extremadamente altos de limpieza y resistencia a la corrosión, la placa de distribución de gas también impone exigencias estrictas en cuanto a la consistencia del diámetro de las aberturas y la presencia de rebabas en las paredes internas de las aberturas. Una tolerancia excesiva y una desviación estándar de consistencia del tamaño de la apertura, o la presencia de rebabas en cualquier pared interior, darán lugar a un espesor desigual de la película depositada, lo que afectará directamente el rendimiento del proceso del equipo. En los procesos asistidos por plasma (como PECVD y grabado en seco), el cabezal de ducha, como parte del electrodo, genera un campo eléctrico uniforme utilizando una fuente de energía de RF, promoviendo una distribución uniforme del plasma y mejorando así la uniformidad del grabado o deposición.

es distribuir uniformemente los gases reactivos a través de la superficie de la oblea, asegurando capas depositadas uniformes y consistentes. En los procesos CVD y ALD, la distribución uniforme de los gases reactivos es crucial para lograr películas delgadas de alta calidad. La estructura única y las propiedades del material de los cabezales de ducha de SiC permiten una distribución eficiente del gas y un flujo de gas uniforme, cumpliendo con los estrictos requisitos de calidad y rendimiento de la película en la fabricación de semiconductores.

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