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Placa portadora RTP recubierta de SiC para crecimiento epitaxial

Placa portadora RTP recubierta de SiC para crecimiento epitaxial

La placa portadora RTP recubierta de SiC Semicorex para crecimiento epitaxial es la solución perfecta para aplicaciones de procesamiento de obleas semiconductoras. Con sus susceptores de grafito de carbono de alta calidad y crisoles de cuarzo procesados ​​por MOCVD en la superficie de grafito, cerámica, etc., este producto es ideal para el manejo de obleas y el procesamiento de crecimiento epitaxial. El soporte recubierto de SiC garantiza una alta conductividad térmica y excelentes propiedades de distribución del calor, lo que lo convierte en una opción confiable para RTA, RTP o limpieza con productos químicos agresivos.

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Descripción del Producto

Nuestra placa portadora RTP recubierta de SiC para crecimiento epitaxial está diseñada para soportar las condiciones más duras del entorno de deposición. Con su alta resistencia al calor y a la corrosión, los susceptores de epitaxia están sujetos al entorno de deposición perfecto para el crecimiento epitaxial. El fino revestimiento de cristal de SiC en el soporte garantiza una superficie lisa y una alta durabilidad frente a la limpieza química, mientras que el material está diseñado para evitar grietas y delaminación.
Contáctenos hoy para obtener más información sobre nuestra placa portadora RTP recubierta de SiC para crecimiento epitaxial.


Parámetros de la placa portadora RTP recubierta de SiC para crecimiento epitaxial

Especificaciones principales del recubrimiento CVD-SIC

Propiedades de SiC-CVD

Estructura cristalina

Fase β de la FCC

Densidad

gramos/cm³

3.21

Dureza

Dureza Vickers

2500

Tamaño de grano

µm

2~10

Pureza química

%

99.99995

Capacidad calorífica

J kg-1 K-1

640

Temperatura de sublimación

2700

Fuerza flexural

MPa (RT 4 puntos)

415

Módulo de Young

Gpa (curvatura de 4 puntos, 1300 ℃)

430

Expansión Térmica (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Conductividad térmica

(W/mK)

300


Características de la placa portadora RTP recubierta de SiC para crecimiento epitaxial

Grafito recubierto de SiC de alta pureza
Resistencia al calor superior y uniformidad térmica
Fino revestimiento de cristal de SiC para una superficie lisa
Alta durabilidad frente a limpieza química
El material está diseñado para que no se produzcan grietas ni delaminación.





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