Portador de recubrimiento de SiC RTP/RTA

El portador de revestimiento de SiC Semicorex RTP/RTA está diseñado para soportar las condiciones más duras del entorno de deposición. Con su alta resistencia al calor y a la corrosión, este producto está diseñado para proporcionar un rendimiento óptimo para el crecimiento epitaxial. El soporte recubierto de SiC tiene una alta conductividad térmica y excelentes propiedades de distribución del calor, lo que garantiza un rendimiento confiable para RTA, RTP o limpieza con productos químicos agresivos.

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Descripción del Producto

Nuestro portador de recubrimiento RTP/RTA SiC para crecimiento epitaxial MOCVD es la solución perfecta para el manejo de obleas y el procesamiento de crecimiento epitaxial. Con una superficie lisa y alta durabilidad frente a la limpieza química, este producto ofrece un rendimiento confiable en entornos de deposición hostiles.
El material de nuestro portador de revestimiento de SiC RTP/RTA está diseñado para evitar grietas y delaminación, mientras que la resistencia al calor superior y la uniformidad térmica garantizan un rendimiento constante para RTA, RTP o limpieza con productos químicos agresivos.
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Parámetros del portador de recubrimiento de SiC RTP/RTA

Especificaciones principales del recubrimiento CVD-SIC
Propiedades de SiC-CVD
Estructura cristalina	Fase β de la FCC
Densidad	gramos/cm³	3.21
Dureza	Dureza Vickers	2500
Tamaño de grano	µm	2~10
Pureza química	%	99.99995
Capacidad calorífica	J kg-1 K-1	640
Temperatura de sublimación	℃	2700
Fuerza flexural	MPa (RT 4 puntos)	415
Módulo de Young	Gpa (curvatura de 4 puntos, 1300 ℃)	430
Expansión Térmica (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conductividad térmica	(W/mK)	300

Características del portador de recubrimiento de SiC RTP/RTA

Grafito recubierto de SiC de alta pureza
Resistencia al calor superior y uniformidad térmica
Fino revestimiento de cristal de SiC para una superficie lisa
Alta durabilidad frente a limpieza química
El material está diseñado para que no se produzcan grietas ni delaminación.