Portador RTP para crecimiento epitaxial MOCVD

Semicorex RTP Carrier para crecimiento epitaxial MOCVD es ideal para aplicaciones de procesamiento de obleas semiconductoras, incluido el crecimiento epitaxial y el procesamiento de manipulación de obleas. MOCVD procesa susceptores de grafito de carbono y crisoles de cuarzo en la superficie de grafito, cerámica, etc. Nuestros productos tienen una buena ventaja de precio y cubren muchos de los mercados europeos y americanos. Esperamos convertirnos en su socio a largo plazo en China.

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Descripción del Producto

Semicorex suministra RTP Carrier para crecimiento epitaxial MOCVD utilizado para soportar obleas, que es realmente estable para RTA, RTP o limpieza con productos químicos agresivos. En el núcleo del proceso, los susceptores de epitaxia se someten primero al entorno de deposición, por lo que tienen una alta resistencia al calor y a la corrosión. El soporte recubierto de SiC también tiene una alta conductividad térmica y excelentes propiedades de distribución del calor.
Nuestro portador RTP para crecimiento epitaxial MOCVD está diseñado para lograr el mejor patrón de flujo de gas laminar, asegurando la uniformidad del perfil térmico. Esto ayuda a prevenir cualquier contaminación o difusión de impurezas, asegurando un crecimiento epitaxial de alta calidad en el chip de la oblea.
Contáctenos hoy para obtener más información sobre nuestro portador RTP para crecimiento epitaxial MOCVD.

Parámetros del portador RTP para el crecimiento epitaxial MOCVD

Especificaciones principales del recubrimiento CVD-SIC
Propiedades de SiC-CVD
Estructura cristalina	Fase β de la FCC
Densidad	gramos/cm³	3.21
Dureza	Dureza Vickers	2500
Tamaño de grano	µm	2~10
Pureza química	%	99.99995
Capacidad calorífica	J kg-1 K-1	640
Temperatura de sublimación	℃	2700
Fuerza flexural	MPa (RT 4 puntos)	415
Módulo de Young	Gpa (curvatura de 4 puntos, 1300 ℃)	430
Expansión Térmica (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conductividad térmica	(W/mK)	300

Características del portador RTP para el crecimiento epitaxial MOCVD

Grafito recubierto de SiC de alta pureza
Resistencia al calor superior y uniformidad térmica
Fino revestimiento de cristal de SiC para una superficie lisa
Alta durabilidad frente a limpieza química
El material está diseñado para que no se produzcan grietas ni delaminación.

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