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Placa portadora RTP de grafito SiC para MOCVD

Placa portadora RTP de grafito SiC para MOCVD

La placa portadora RTP de grafito SiC Semicorex para MOCVD ofrece una resistencia al calor y uniformidad térmica superiores, lo que la convierte en la solución perfecta para aplicaciones de procesamiento de obleas semiconductoras. Con un grafito recubierto de SiC de alta calidad, este producto está diseñado para resistir el entorno de deposición más severo para el crecimiento epitaxial. La alta conductividad térmica y las excelentes propiedades de distribución del calor garantizan un rendimiento confiable para RTA, RTP o limpieza con productos químicos agresivos.

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Descripción del Producto

Nuestra placa portadora RTP de grafito SiC para MOCVD para crecimiento epitaxial de MOCVD es la solución perfecta para el manejo de obleas y el procesamiento de crecimiento epitaxial. Con una superficie lisa y alta durabilidad frente a la limpieza química, este producto garantiza un rendimiento confiable en entornos de deposición hostiles.
El material de nuestra placa portadora RTP de grafito SiC para MOCVD está diseñado para evitar grietas y delaminación, mientras que la resistencia al calor superior y la uniformidad térmica garantizan un rendimiento constante para RTA, RTP o limpieza con productos químicos agresivos.
Contáctenos hoy para obtener más información sobre nuestra placa portadora RTP de grafito SiC para MOCVD.


Parámetros de la placa portadora RTP de grafito SiC para MOCVD

Especificaciones principales del recubrimiento CVD-SIC

Propiedades de SiC-CVD

Estructura cristalina

Fase β de la FCC

Densidad

gramos/cm³

3.21

Dureza

Dureza Vickers

2500

Tamaño de grano

µm

2~10

Pureza química

%

99.99995

Capacidad calorífica

J kg-1 K-1

640

Temperatura de sublimación

2700

Fuerza flexural

MPa (RT 4 puntos)

415

Módulo de Young

Gpa (curvatura de 4 puntos, 1300 ℃)

430

Expansión Térmica (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Conductividad térmica

(W/mK)

300


Características de la placa portadora RTP de grafito SiC para MOCVD

Grafito recubierto de SiC de alta pureza
Resistencia al calor superior y uniformidad térmica
Fino revestimiento de cristal de SiC para una superficie lisa
Alta durabilidad frente a limpieza química
El material está diseñado para que no se produzcan grietas ni delaminación.





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