Portador recubierto de SiC RTP RTA

Semicorex es un fabricante y proveedor a gran escala de susceptor de grafito recubierto de carburo de silicio en China. Susceptor de grafito Semicorex diseñado específicamente para equipos de epitaxia con alta resistencia al calor y a la corrosión en China. Nuestro portador recubierto de SiC RTP RTA tiene una buena ventaja de precio y cubre muchos de los mercados europeos y americanos. Esperamos convertirnos en su socio a largo plazo.

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Descripción del Producto

Semicorex suministra el portador recubierto de SiC RTP RTA que se utiliza para soportar obleas, que es realmente estable para RTA, RTP o limpieza con productos químicos agresivos. El portador recubierto de SiC RTP RTA con construcción de grafito recubierto de carburo de silicio (SiC) de alta pureza proporciona una resistencia al calor superior, uniformidad térmica uniforme para un espesor y resistencia consistentes de la capa Epi, y una resistencia química duradera. El fino recubrimiento de cristal de SiC proporciona una superficie limpia y lisa, fundamental para la manipulación, ya que las obleas prístinas entran en contacto con el susceptor en muchos puntos de toda su área.
En Semicorex, nos enfocamos en brindar portadores recubiertos de SiC RTP RTA rentables y de alta calidad, priorizamos la satisfacción del cliente y brindamos soluciones rentables. Esperamos convertirnos en su socio a largo plazo, ofreciéndole productos de alta calidad y un servicio al cliente excepcional.

Parámetros del portador recubierto de SiC RTP RTA

Especificaciones principales del recubrimiento CVD-SIC
Propiedades de SiC-CVD
Estructura cristalina	Fase β de la FCC
Densidad	gramos/cm³	3.21
Dureza	Dureza Vickers	2500
Tamaño de grano	µm	2~10
Pureza química	%	99.99995
Capacidad calorífica	J kg-1 K-1	640
Temperatura de sublimación	℃	2700
Fuerza flexural	MPa (RT 4 puntos)	415
Módulo de Young	Gpa (curvatura de 4 puntos, 1300 ℃)	430
Expansión Térmica (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conductividad térmica	(W/mK)	300

Características del portador recubierto de SiC RTP RTA

- Tanto el sustrato de grafito como la capa de carburo de silicio tienen buena densidad y pueden desempeñar un buen papel protector en entornos de trabajo corrosivos y de alta temperatura.
- El susceptor recubierto de carburo de silicio utilizado para el crecimiento de monocristales tiene una superficie muy plana.
- Reducir la diferencia en el coeficiente de expansión térmica entre el sustrato de grafito y la capa de carburo de silicio, mejorar efectivamente la fuerza de unión para evitar grietas y delaminación.
- Tanto el sustrato de grafito como la capa de carburo de silicio tienen una alta conductividad térmica y excelentes propiedades de distribución del calor.
- Alto punto de fusión, resistencia a la oxidación a altas temperaturas, resistencia a la corrosión.